郑泽伟
,
沈波
,
张荣
,
桂永胜
,
蒋春萍
,
马智训
,
郑国珍
,
郭少令
,
施毅
,
韩平
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.021
通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫-德哈斯振荡的双周期特性,发现在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气(2DEG)的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值2DEG浓度估算为7.2×1012 cm-2,在阈值2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为75 meV.
关键词:
异质结
,
舒勃尼科夫-德哈斯振荡
,
第二子带占据
郑泽伟
,
沈波
,
陈敦军
,
郑有炓
,
郭少令
,
褚君浩
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011
通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.
关键词:
调制掺杂
,
AlxGa1-xN/GaN
,
异质结构
,
二维电子气
,
迁移率
,
有效g因子
