李昌荣
,
王向晖
,
郑志宏
,
林梓鑫
,
俞柳江
,
张峰
,
柳襄怀
,
陈安清
,
蒋振斌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.015
主要报导了热解碳的氮离子注入处理、等离子体浸没离子注入及其血液相容性.用卢瑟福背散射、X射线衍射和喇曼光谱法分析样品的成份及结构.测试了注入前后热解碳样品的血小板粘附性能,经过注入处理的样品表面粘附较少的血小板,而且较少团簇及变形,优于临床应用的热解碳.蛋白质竞争吸附实验结果表明热解碳经PIII处理后,表面会吸附较多的白蛋白、较少的纤维蛋白原,具有更好的抗凝血性能.
关键词:
热解碳
,
离子注入
,
血液相容性
蒋军
,
江炳尧
,
郑志宏
,
任琮欣
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
功能材料
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
抑制电子发射
,
铪
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
徐东
,
朱宏
,
汤丽娟
,
杨云洁
,
郑志宏
,
柳襄怀
,
谷口滋次
,
柴田俊夫
金属学报
用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结合紧密用ＡＥＳ，ＸＲＤ和ＸＰＳ研究薄膜的组成和结构，高温循环氧化结果表明，经沉积膜的ＴｉＡｌ试样的抗氧化性能显著提高其中沉积０．５μｍ薄膜的试样表现出极好的抗循环氧化性能由ＳＥＭ及ＥＤＳ分析得出，良好的高温稳定性能、高的膜／基底结合力和形成富Ａｌ２Ｏ３和硅化物的保护层是提高ＴｉＡｌ抗高温氧化性能的主要因素．
关键词:
氮化硅薄膜
,
null
,
null
,
null
王曦
,
杨根庆
,
柳襄怀
,
郑志宏
,
黄巍
,
周祖尧
,
邹世昌
金属学报
本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm~2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。
关键词:
TiN薄膜
,
ion beam enhanced deposition
周建坤
,
柳襄怀
,
陈酉善
,
王曦
,
郑志宏
,
黄巍
,
邹世昌
金属学报
用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由TiN相构成;晶粒大小为30—40um,无择优取向;而非离子束轰击沉积的薄膜则是无定形的;用离子束增强沉积制备的TiN薄膜,其氧含量明显小于无离子束轰击薄膜的值;在TiN薄膜和衬底之间存在一个界面混合区,厚度为40um左右。机械性能测试表明,TiN薄膜具有高的显微硬度,低的摩擦系数。
关键词:
TiN薄膜
,
ion beam enhanced deposition
王向晖
,
张峰
,
李昌荣
,
郑志宏
,
陈莉芝
,
王惠民
,
柳襄怀
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.012
采用离子束增强沉积的方法，改变氧分压，在硅基体表面制备出了不同组分及不同取向的氧化钛薄膜。采用XRD，掠角衍射以及XPS分析方法对薄膜的成分、结构和取向进行了分析，并通过RBS分析计算出了薄膜的O/Ti比。实验结果发现，所制备的氧化钛薄膜为具有一定择优取向的多晶膜，薄膜内TiO、Ti2O3和TiO2共同存在。当氧分压低于8.4×10－4Pa时，氧化钛薄膜的成分以TiO为主，且TiO的取向随氧分压的增加从（220）向（031）转变，氧分压对薄膜取向的影响较大。当氧分压高于8.6×10－4Pa时，氧化钛薄膜的成分以具有（100）择优取向的金红石型TiO2为主，含有少量其他结构的TiO2和低价Ti，其成分及取向相对较为稳定，对氧分压的变化不敏感。
关键词:
氧化钛
,
离子束增强沉积
,
氧分压
邢玉梅
,
陶凯
,
俞跃辉
,
郑志宏
,
杨文伟
,
宋朝瑞
,
沈达身
功能材料
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2.借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能.
关键词:
SOI材料
,
氧化铪
,
薄膜
柳襄怀
,
郑志宏
,
黄巍
,
林梓鑫
,
邹世昌
中国腐蚀与防护学报
用多次扫描循环极化法研究经离子束表面改性的Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的腐蚀行为。电化学测试和表面形貌的观察结果表明,离子注入、离子束混合和离子束辅助沉积技术对减缓Ni_3Al(0.1B)在用氧气饱和的1N H_2SO_4溶液中的腐蚀和改善钝化性能很有效果。
关键词:
陈静
,
王湘
,
董业民
,
郑志宏
,
陈猛
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.002
采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料.测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料.在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,使用剖面透射电镜技术(XTEM)和二次离子质谱技术(SIMS)等测试方法对注入样品和退火后样品进行分析.结果表明,表层硅厚度随注入能量增大不断增大;埋层二氧化硅厚度相对独立,仅在超低能(50keV)低剂量情况下厚度出现明显降低;埋层质量(包括界面平整度、硅岛密度等)与注入能量变化相关.
关键词:
低剂量注水
,
注入能量
,
SOI结构
金波
,
李炜
,
郑志宏
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.005
为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜.
关键词:
CeO2
,
高取向
,
退火
,
电子束蒸发
