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晶体生长机制和生长动力学的蒙特卡罗模拟研究

朱阁 , 卢贵武 , 李英峰 , 蓝建慧 , 张军 , 郑庆彬 , 黄乔松 , 孙洵 , 夏海瑞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.006

采用动力学蒙特卡罗方法,对在完整光滑界面上低过饱和度溶液中的晶体生长机制和动态过程进行计算机模拟,得到了晶体生长速率与溶液过饱和度之间的关系以及晶体生长的表面形态.对以二维成核为主要生长机制的动力学生长规律进行分析,发现了二维成核生长的生长死区以及单核生长转变为多核生长时的过饱和度临界值,讨论了热粗糙度、表面扩散、台阶平均高度以及表面尺寸对晶体平均生长速率的影响.

关键词: 蒙特卡罗模拟 , 生长机制 , 晶体表面形态 , 晶体生长动力学

CaCl2催化NaBH4还原氧化石墨烯

杨真真 , 郑庆彬 , 邱汉迅 , 李静 , 杨俊和

新型炭材料 doi:10.1016/S1872_5805(15)60174_3

以CaCl2作为催化剂、NaBH4为还原剂,还原氧化石墨烯。还原反应能在室温下进行,并以去离子水作为唯一的溶剂,此法是一种低能耗、环保并简易的方法。通过红外光谱、紫外光谱、X射线光电子能谱、表面电阻测量手段研究CaCl2添加量对氧化石墨烯还原程度的影响。采用透射电子显微镜和原子力显微镜观察氧化石墨烯和还原氧化石墨烯的形貌。结果表明,以氯化钙作为催化剂还原氧化石墨烯,能更有效地去除氧化石墨烯表面的含氧官能团,提高还原氧化石墨烯的导电性。当CaCl2添加浓度达到50 mmol/L时,还原氧化石墨烯C/O比达到5.38,表面电阻达到18.6 kΩ/sq。

关键词: 氧化石墨烯 , 还原 , 催化剂

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