王光伟
,
郑宏兴
,
马兴兵
,
张建民
,
曹继华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.001
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料.薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定.对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响.薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定.基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小.Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定.数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论.
关键词:
锗硅薄膜
,
等离子体增强化学沉积
,
热退火
,
晶相成核与生长
李雅静
,
郑宏兴
,
周锎
,
李雅琴
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.019
介绍了一种可编程的平板显示时序控制器的设计.它可以在视频信号源同步信号和外部时钟信号的控制下,根据平板显示器件的分辨率、场刷新频率、数据驱动电路结构等具体条件输出不同频率的时钟、行场同步信号和其他辅助信号.它主要包括两个串行控制总线接口、锁相频率合成器、扫描时序状态寄存器和扫描时序发生电路4部分.锁相频率合成器的设计采用了内、外两分频器的结构,可以合成多种时钟频率,从而满足平板显示器640×480、800×600、1 024×768、1 280×1 024、1 600×1 200、1 920×1 080和1 280×720七种频率分辨率,50 Hz、60 Hz、75 Hz、85 Hz和100 Hz五种场刷新频率,双通道和四通道两种数据电路驱动结构的需要.
关键词:
平板显示器
,
锁相频率合成器
,
可编程
