郑传伟
,
杨振明
,
田冲
,
曹晓明
,
张劲松
稀有金属材料与工程
采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观三维连通结构的SiC泡沫陶瓷,研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中的氧化行为.结果表明:在800～1300 ℃温度范围内,SiC泡沫陶瓷与块体SiC陶瓷类似,其氧化动力学曲线符合抛物线规律,氧化过程受氧化剂在氧化膜中的扩散控制,氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低.
关键词:
SiC
,
泡沫陶瓷
,
氧化
,
结晶
郑传伟
,
杨振明
,
张劲松
材料研究学报
研究了反应烧结多孔碳化硅(RPSC)陶瓷在1200-1500℃干燥氧气中的氧化行为.结果表明,与碳化硅致密块的高温氧化行为不同,温度越高,RPSC的氧化增重越小;RPSC的整个氧化过程分为氧化初期的快速增重阶段和缓慢氧化的平台阶段,氧化动力学曲线符合渐近线规律.RPSC的高温氧化在外表面和孔隙内同时发生,孔隙内的氧化占主导地位,最大氧化增重与孔隙率成线性关系.当孔内氧化速率高于氧气向孔内的传输速率时,氧化主要发生在孔口附近,氧化硅很快将孔封闭,阻止了孔内继续氧化.
关键词:
无机非金属材料
,
热氧化
,
反应烧结多孔碳化硅
,
孔隙率
,
动力学
郑传伟
,
曹小明
,
张劲松
腐蚀学报（英文）
用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等表面分析方法,考察了反应烧结碳化硅(RBSC)材料在纯氧气中的氧化行为.结果表明,反应烧结SiC(RBSC)表面残余Si比Q-SiC拥有更多的缺陷,初期氧化速率更快.表面粗糙度的变化在一定程度上也反映了氧化发生的过程.结合氧化动力学、SEM及AFM,建立了RBSC初期氧化过程的生长模型.提供表面三维信息的AFM和分析成分与形貌信息的SEM技术是研究表面氧化过程尤其是初期氧化十分方便有效的工具.
关键词:
碳化硅
,
高温氧化
,
粗糙度
,
拓扑形貌
