郑伟艳
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
串利伟
,
魏文浩
,
岳红维
,
曹冠龙
功能材料
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化（CMP）须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性（WIWNU）为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低（0.178nm）,表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
关键词:
低压
,
碱性
,
铜布线化学机械平坦化
,
高低差
,
速率
曹冠龙
,
潘国峰
,
何平
,
齐景爱
,
刘伟
,
郑伟艳
功能材料
采用sol-gel法制备ZnO及CeO2掺杂量分别为6％、7％和8％(质量分数)的ZnO粉体.通过XRD、SEM对材料的表面形貌和结构进行表征.研究了掺杂量对粉体制备的影响.采用静态配气法对该粉体制成的气敏元件进行测试,结果表明,在工作温度仅为85℃的条件下,7％(质量分数)CeO2-ZnO气敏传感器对饱和丙酮蒸汽的灵敏度最高达9634,响应时间为3s,恢复时间为2s;在较低浓度2.0×10-4时灵敏度也可达30左右.并对丙酮气敏传感器的气敏机理进行了进一步探讨.
关键词:
CeO2
,
ZnO
,
紫外线
,
丙酮
,
气敏
魏文浩
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
牛新环
,
郑伟艳
,
尹康达
功能材料
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂（通常为H2O2）。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层（Ta）和保护层（TEOS）具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑（dishing）和蚀坑（erosion）具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。
关键词:
碱性阻挡层抛光液
,
去除速率
,
选择性
,
碟形坑
,
蚀坑
