王启元
,
谭利文
,
王俊
,
郁元桓
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.013
异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似 SOS薄膜生长的常压 CVD(APCVD)方法在 EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双...
关键词:
硅
,
Al2O3
,
SOI
,
外延生长
