徐安怀
,
邹璐
,
陈晓杰
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.018
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求.
关键词:
分子束外延
,
异质结双极晶体管
,
InGaAs
,
InP
