程宇航
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吴一平
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邹柳娟
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陈建国
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乔学亮
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谢长生
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翁惠民
无机材料学报
采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜，用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布，并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明，单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度，类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布，薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层，而膜一基之间存在一很宽的界面层，界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低，到达薄膜心部后，缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C2H2含量的升高而单调增大，但C2H2含量对界面层宽度没有影响．
关键词:
类金刚石薄膜
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null
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null
,
null
马卫东
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邹柳娟
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陈志红
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施伟
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江山
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王青林
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赵梓森
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.05.004
对周期保持恒定,而其有效折射率大小随其长度按平方律变化的啁啾光纤光栅提出了一个理论设计模型.从该模型出发,得到了光栅有效折射率分布函数与光栅色散量之间的关系.最后将该模型的计算结果与传输矩阵法的计算机模拟结果进行了比较,二者基本上一致.
关键词:
光纤光栅
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啁啾
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色散
