祝向荣
,
沈鸿烈
,
沈勤我
,
邹世昌
,
TsukamotoKoichi
,
YanagisawaTakeshi
,
ItoToshimitsu
,
HiguchiNoboru
,
OkadaYasumasa
,
OkutomiMamoru
无机材料学报
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La－Pb－Mn－O体材料．材料的铁磁相变温度Tc为257K，其金属－半导体转变温度Tp为251K．外加磁场分别为5T和13T时，材料的巨磁电阻（GMR）峰值分别达到72％和85％．在77K～室温的温度范围内，材料都具有GMR效应，Tp附近具有GMR峰值效应．GMR效应与自旋极化子行为有关，而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外，与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关．另外，多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内，尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献．在Tp处；晶粒间自旋极化隧道效应被抑制，导致低场GMR效应的消失．
关键词:
巨磁电阻
,
null
,
null
祝向荣
,
沈鸿烈
,
沈勤我
,
邹世昌
,
Tsukamoto Koichi
,
Yanagisawa Takeshi
,
Ito Toshimitsu
,
Higuchi Noboru
,
Okada Yasumasa
,
Okutomi Mamoru
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.013
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度TC为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K～室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处,晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.
关键词:
巨磁电阻
,
金属-半导体转变温度
,
多晶
黄卫东
,
王旭洪
,
盛玫
,
徐立强
,
罗乐
,
冯涛
,
王曦
,
张富民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.015
利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范 围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的 影响.实验发现随着基板温度的增加 ,氮化硅薄膜的密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而沉积速 率和 H含量相应减少 ;随着射频功率的增加 ,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和 Si/N比相 应增加 ,而 H含量相应减少.水汽渗透实验发现即使基板温度降低为 50℃,所沉积的氮化硅薄膜 仍然具有良好的防水性能.实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件( OLED) 的封装.
关键词:
氮化硅薄膜
,
有机发光器件
,
封装
李浩
,
武爱民
,
黄海阳
,
李伟
,
盛振
,
王曦
,
邹世昌
,
甘甫烷
功能材料与器件学报
通过等频图分析并结合时域有限差分法模拟,基于光子晶体自准直机制可以实现电磁能量高度局域的无衍射光束传播.实验上加工出柱状长方晶格光子晶体,利用红外CCD,在1540nm-1570nm波段范围内观测到0.4mm的自准直传播,通过粒子散射光亮度估算出光子晶体链上传输损耗为17dB/mm.该结构表现出来的宽频性能以及毫米量级的传输距离,使其具有应用在光互连中的潜力.
关键词:
光子晶体
,
自准直
刘张李
,
邹世昌
,
张正选
,
毕大炜
,
胡志远
,
俞文杰
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.001
综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.
关键词:
控制电路
,
存储单元
,
单粒子效应
,
电荷损失
蒋军
,
江炳尧
,
任琮欣
,
张福民
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
稀有金属材料与工程
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
电子发射
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
,
铂膜
肖海波
,
张峰
,
张昌盛
,
程新利
,
王永进
,
陈志君
,
林志浪
,
张福民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.006
通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.
关键词:
掺Er-Al2O3薄膜
,
PL谱
,
光透射谱
蒋军
,
江炳尧
,
郑志宏
,
任琮欣
,
冯涛
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
功能材料
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.
关键词:
抑制电子发射
,
铪
,
离子束辅助沉积
,
钼栅极
李炜
,
茅东升
,
张福民
,
王曦
,
柳襄怀
,
邹世昌
,
诸玉坤
,
李琼
,
徐静芳
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.006
用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现,升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善.在ZnO:Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位(Vo)充当了蓝/绿光的发光中心.薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同.
关键词:
ZnO:Zn
,
荧光薄膜
,
热处理
,
光致发光
王曦
,
杨根庆
,
柳襄怀
,
郑志宏
,
黄巍
,
周祖尧
,
邹世昌
金属学报
本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm~2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。
关键词:
TiN薄膜
,
ion beam enhanced deposition
