袁剑峰
,
杨柏梁
,
朱永福
,
李牧菊
,
刘传珍
,
吴渊
,
廖燕平
,
王刚
,
邵喜斌
,
刘宏武
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.005
介绍了a-Si:H TFT开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作.研制了a-Si∶H TFT单管器件,其开关电流比达到6个数量级,为最终研制a-Si∶H TFT AMLCD视频图像显示器奠定了坚实的基础.
关键词:
a-Si
,
HTFT开关器件
,
有源层
,
栅绝缘层
,
界面特性
刘金娥
,
廖燕平
,
齐小薇
,
高文涛
,
荆海
,
付国柱
,
李世伟
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试.制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入.设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8 pF.运用7PEP生产工艺,制作了13 cm(5.2 in)的TFT阵列样品.对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10 μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341 cd/m2.
关键词:
OLED
,
阈值电压漂移
,
N/Si
,
C-V
,
2-a-Si:HTFT
刘晓那
,
宋勇志
,
徐长健
,
周波
,
马国靖
,
陈松飞
,
袁剑峰
,
林承武
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0317
利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究.一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,利于实现较低的残余电流(RDC).而当配向膜材料的RDC和高低温间VHR变化值同时处于较低水平时,可以获得面残影水平较低的TFT-LCD模块.因此,利用mini-cell对配向膜材料进行评估,通过比较RDC以及△VHR数值,可以间接实现对TFT-LCD的残影结果评估,为实际生产中产品残影的改善提供了基础理论指导,具有重要的指导性作用.
关键词:
配向膜
,
电压保持率
,
残余电流
,
残影
占红明
,
徐征
,
董学
,
陈明
,
金雄
,
布占场
,
邵喜斌
,
李成圭
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0916
为了改善彩色液晶显示器件的色差,提升画面品质,针对(128,192,192)灰阶图形下色差的问题,对色差产生的机理进行了分析.模拟了 RGB 三色像素透过率对该图形下色差的影响.通过分别调整 RGB 彩膜膜厚,不仅相对调整了三色像素下的液晶盒层厚,而且还调整了三色像素的透过率,改善了 RGB 的 Gamma 曲线,对色差进行了补偿优化.实验结果表明,增加 G 像素和减小 B 像素的液晶盒层厚,对色差有明显补偿改善效果；同时,当 RGB 膜厚保持不变时,色差与液晶层厚呈正比关系,液晶层厚每减小1％时,色差约降低0.2.当 RGB 三色液晶盒层厚从(3.47,3.38,3.4)μm 分别调整到(3.5,3.45,3.36)μm 和(3.5,3.44,3.28)μm 时,(128,192,192)灰阶图形下样品色差平均值从13.8分别降低到12.8和12.通过分别调整 RGB 彩膜膜厚,相对调整了三色像素下的液晶层盒厚和液晶量调节,可以一定程度优化补偿色差.
关键词:
色差
,
液晶显示
,
层厚
,
灰阶
王守坤
,
袁剑峰
,
郭总杰
,
郭会斌
,
刘杰
,
郑云友
,
贠向南
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0801
对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。
关键词:
薄膜晶体管
,
加强型阴极耦合等离子体
,
有源层
,
非晶硅膜
,
均一性
廖燕平
,
邵喜斌
,
吴渊
,
骆文生
,
付国柱
,
荆海
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.010
提出了一种新的晶化方法--金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA).该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si.通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p-Si的结晶性和表面形貌特征.研究发现,MI-ELA方法制备的p-Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高.这个结果源于用MIC方法形成的且与c-Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用.这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a-Si作为成核媒介.这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽.
关键词:
多晶硅薄膜
,
金属诱导-准分子激光晶化
,
NiSi2
李云飞
,
王永生
,
张晓龙
,
刘宏宇
,
王刚
,
邵喜斌
,
何大伟
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.010
对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.
关键词:
OLED
,
有源驱动
,
存储电容
,
充电率
李文波
,
徐征
,
张卓
,
王刚
,
邵喜斌
,
刘宏宇
,
李云飞
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.027
对微胶囊电泳显示与TFT-LCD显示进行了对比研究,讨论并分析了它们在显示原理、电路的驱动方式和灰阶实现、像素设计以及显示性能等多方面的不同特性,并对微胶囊电泳显示的应用前景做了简要介绍和预测.
关键词:
微胶囊电泳显示
,
TFT-LCD显示
,
比较分析
张春兵
,
晏斌
,
徐利燕
,
唐乌力吉白尔
,
王峥
,
王章涛
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0582
快门式3D液晶显示是目前的市场主流,改善其串扰问题可以提高显示品质.文中描述了一种采用预充电和充电方式进行像素数据写入的侧边式LED背光快门眼镜3D显示装置.配合背光LED时序,实现了较高的3D显示亮度的同时,降低了3D显示中的串扰.并且在实验中制作出一个139.7 cm(55 in)快门眼镜式3D显示装置,采用预充电和充电方式进行像素数据写入的信号驱动方法,并采用8组LED背光扫描进行时序控制.对制作的显示装置进行信号测试,3D光学测试,结果表明用此种方法主要可以降低液晶响应时间以及3D串扰.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示
,
快门眼镜3D
,
预充电驱动
,
背光扫描
,
3D串扰
,
3D亮度
王丹
,
马国靖
,
任锦宇
,
徐长健
,
宋勇志
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153001.0047
目前,LCD行业已经趋于成熟.各大面板企业都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等.本文从聚酰亚胺取向层材料方面着手提高对比度进行了研究与阐述.研究过程中利用实验室与产线进行了实际测试,通过对比不同性质的取向膜材料所制作的平面电场宽视角(ADS)模式液晶面板,证明了配向能力越高的取向材料得到的面板对比度越高.高配向力的取向层可以使液晶分子的排列更加有序化,在常暗模式的FFS显示器中,初始位置的液晶分子预倾角越低,液晶面板的暗态越好,在亮态相同的情况下,对比度将会提高.
关键词:
聚酰亚胺
,
取向膜
,
平面电场宽视角技术
,
对比度
