林广庆
,
李鹏
,
王明晖
,
冯翔
,
张俊
,
熊贤风
,
邱龙臻
,
吕国强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0490
应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管.原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响.在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm.大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能.表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过10 6,最大场效应迁移率约可达1.23 cm2·V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8 cm2·V-1·s-1.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
二氧化硅表面修饰
,
电性能
夏亮
,
徐琼
,
陆红波
,
唐龙祥
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112603.0306
采用紫外光聚合诱导相分离方法制备了聚合物分散胆甾相液晶膜,系统研究了固化光强和固化温度等制备条件对薄膜的相形态的影响,并探讨了薄膜相形态与反射率的关系.研究表明:固化光强较低时相分离较完全,产生的液晶微滴尺寸较大,聚合物与液晶的界面非常光滑;增加光强会使液晶微滴尺寸变小,界面变粗糙,膜反射率逐步降低.相形态与固化温度的关系较为复杂:在温度较低时,液晶以圆形液滴的形式分散在聚合物基体中;随着固化温度升高,液晶液滴逐渐变大,并在40℃时形成了连续的液晶层和聚合物层的分层结构;进一步升高温度,则形成了三维的聚合物网络结构,液晶相贯穿其间.膜的反射率先随着固化温度的升高逐渐升高,而后又降低.固化光强为0.01 mW/cm2,固化温度为40℃时,反射率达到最大值32.2%.
关键词:
聚合物分散胆甾相液晶
,
相形态
,
光电性能
夏亮
,
徐琼
,
陆红波
,
唐龙祥
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112605.0608
基于PET塑料薄膜取代硬质玻璃作为基板材料制备柔性液晶盒时,采用传统制备工艺会产生盒厚度不均以及盒中残留气泡等现象,导致柔性液晶器件性能变差.采用辊压工艺可以有效地解决上述问题,文章对其工艺流程进行了详细描述.实验发现,通过在辊压工艺中加热两片基板以降低溶液的黏度,能够有效地避免气泡残留,获得厚度均匀的柔性液晶盒.应用辊压工艺和聚合物分散胆甾相液晶,成功地制备了尺寸为7 cm2的反射式柔性双稳态液晶盒.利用正交偏光显微镜观察了聚合物分散液晶的相形态,紫外分光光度计测试了其光电性能:最高反射率为22.8%,对比度为2.259,阈值电压为78 V,饱和电压为99 V.
关键词:
聚合物分散胆甾相液晶
,
柔性液晶盒
,
辊压法
,
光电性能
冯翔
,
林广庆
,
张俊
,
李曼菲
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0338
利用润湿/去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIPS-并五苯有机半导体薄膜,制备了顶接触有机薄膜晶体管(OTFTs).金相显微镜观察发现,转速的选择对TIPS-并五苯薄膜结晶形貌的影响较大.在1000～2000 r/min转速下制备的薄膜完整性好,结晶区域较大;而转速增加到3000 r/min后,难以获得完整的薄膜且晶粒尺寸变小.电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率,发现结晶形貌好的器件具有更好的电学性能.1000 r/min转速下制备OTFT器件最大场效应迁移率为5.16×10-2 cm·V-1,s-1电流开关比为8×103.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
去润湿图案化
,
电性能
彭锐
,
陈梦婕
,
熊贤风
,
王迎
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0172
以邻氯苯甲醛、NaHS· xH2O、癸酰氯为原料,经消去、酰化,还原反应合成2,7-二癸基二苯并二噻吩(C10-BT-BT).通过核磁共振表征和确证.本文研究了C10-BTBT光学性能、热学性能、电学性能以及环境稳定性.紫外-荧光光谱研究证明,化合物在近紫外光激发下发出明亮的蓝光,发射中心波长在352 nm.液晶相的相转变温度通过差热扫描仪测定,测量结果为熔点Tcp=112℃,清亮点Tmp=125℃.通过喷墨打印技术制备了底栅顶接触结构的2,7-二癸基二苯并二噻吩的OTFT器件,场效应平均迁移率达到0.1 cm2/V·s,最大迁移率达到0.25 cm2/V·s,开关比超过104.放置空气中不同时间,器件开态电流和开关比没有较大变化.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
苯并噻吩
,
迁移率
,
环境稳定性
陈世琴
,
陈梦婕
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122705.0595
利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs).原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大.电学性能研究得到器件的输出和转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率.转移曲线的关态电流约为10-9 A,电流的开关比超过103.基于底接触的并五苯OTFTs的最大场效应迁移率约2×10-2 cm2·V-1·s-1.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
层状石墨烯
,
图案化
,
电性能
