刘传珍
,
杨柏梁
,
张玉
,
李牧菊
,
吴渊
,
廖燕平
,
王大海
,
邱法斌
,
李轶华
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002
利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
关键词:
金属诱导晶化
,
多晶硅薄膜
,
退火
刘传珍
,
杨柏梁
,
李牧菊
,
吴渊
,
张玉
,
李轶华
,
邱法斌
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.008
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.
关键词:
p-si薄膜
,
激光退火
,
能量密度
全宇军
,
邱法斌
,
朱棋锋
,
全宝富
,
徐宝琨
功能材料
以常规廉价试剂作为原材料,采用溶胶-凝胶法合成了纳米晶NASICON材料,对材料的测试结果表明经800℃烧结的材料已经具有高的相纯度,而当温度进一步提高到1000℃时,所制备得到的材料具有良好的结晶特性和相对更高的相纯度.论文进而考察了合成材料时烧结温度和烧结周期对NASI-CON固体材料致密度的影响,同时复阻抗谱测试显示,较高致密度的材料具有较低的电阻和较强的固态离子传导能力.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
NASICON
,
温度
,
周期
,
密度
戚金清
,
邱法斌
,
全宝富
,
孙良彦
,
徐宝琨
功能材料
采用高温固相烧结方法,制备了Nasicon固体电解质材料.并用IR、XRD等手段对材料的组成和物相结构进行了表征.在材料电阻率随温度变化的测试结果基础上,进一步以所合成的Nasicon材料作离子导体、BaCO3-LiCO3复合盐作敏感电极材料制成CO2传感器,考察了材料的气敏性能.结果表明材料对CO2具有良好的气敏特性及抗水蒸汽干扰性能.
关键词:
Nasicon
,
快离子导体
,
高温固相法
,
CO2传感器
朱棋锋
,
邱法斌
,
王永为
,
全宇军
,
徐宝琨
功能材料
采用以无机盐为基础的新型溶胶-凝胶法合成了NA-SICON快离子导体材料.在其它原料相同的情况下,分别采用硝酸和草酸作为回溶剂和原溶液酸度调节剂合成了NASICON材料.利用XRD等分析测试手段对合成产物进行了对比研究,对两种酸在反应温度和相结构的影响情况进行了讨论.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
草酸
,
硝酸
,
NASICON
王永为
,
邱法斌
,
富菊霞
,
吴凤清
,
李光
,
徐宝琨
功能材料
应用硬脂酸法制备了纳米级晶粒大小的SrMgxTi1-xO3(x=0.1、0.2…0.5).采用DTA、TG、XRD、XPS等手段进行表征.结果表明,Mg部分取代了Ti进入了晶格中,生成了单一晶相的复合氧化物.掺杂了Mg之后的材料在所测量的氧浓度范围内,呈单一的P型导电特性,具有优良的氧敏性能,颗粒小,适宜制成小型氧敏器件而获得实际应用.
关键词:
合成
,
纳米晶
,
氧敏性质
朱棋锋
,
邱法斌
,
全宇军
,
王永为
,
全宝富
,
徐宝琨
无机材料学报
以常规无机试剂和含硅有机试剂为原料,采用溶胶-凝胶过程与压制成型烧结相结合的方法制备了NASICON纳米晶固体材料,利用TG-DTA对前驱凝胶原粉进行了分析测试,结果表明,NASICON相结构的形成温度范围为750～890℃.实验中重点对800～1000℃烧结所得纳米晶材料进行了表征.目的产物的XRD、FT-IR、FE-SEM、IS结果以及阿基米德法致密度测量结果显示,采用合适的烧结温度和周期可以成功制备出具有纳米级颗粒尺寸、良好结晶特性和较高致密度的固体电解质NASICON材料.材料电学特性测试结果表明,所制备的纳米晶固体电解质材料具有良好的离子导电特性和合理的离子传导激活能,其复合电导与温度倒数的Arrhenius图具有很好的线性关系,并且具有较高结晶特性的材料显示出更高的离子电导率.
关键词:
纳米晶固体材料
,
NASICON
,
sintering temperature
,
densification
朱棋锋
,
邱法斌
,
全宇军
,
王永为
,
全宝富
,
徐宝琨
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.011
以常规无机试剂和含硅有机试剂为原料,采用溶胶-凝胶过程与压制成型烧结相结合的方法制备了NASICON纳米晶固体材料,利用TG-DTA对前驱凝胶原粉进行了分析测试,结果表明,NASICON相结构的形成温度范围为750～890°C.实验中重点对800～1000°C烧结所得纳米晶材料进行了表征.目的产物的XRD、FT-IR、FE-SEM、IS结果以及阿基米德法致密度测量结果显示,采用合适的烧结温度和周期可以成功制备出具有纳米级颗粒尺寸、良好结晶特性和较高致密度的固体电解质NASICON材料.材料电学特性测试结果表明,所制备的纳米晶固体电解质材料具有良好的离子导电特性和合理的离子传导激活能,其复合电导与温度倒数的Arrhenius图具有很好的线性关系,并且具有较高结晶特性的材料显示出更高的离子电导率.
关键词:
纳米晶固体材料
,
NASICON
,
烧结温度
,
致密化
邱法斌
,
骆文生
,
张玉
,
刘传珍
,
荆海
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.03.002
在PECVD法制备a-Si∶H薄膜材料基础上, 以XeCl准分子激光烧结为手段, 对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索, 利用XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征. 较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率, 有利于获得高质量的多晶硅薄膜.
关键词:
多晶硅膜
,
准分子激光烧结
,
玻璃衬底
,
制备
刘少林
,
邹兆一
,
庞春霖
,
付国柱
,
邱法斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.017
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制.新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致密﹑电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术.文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论.
关键词:
硅薄膜
,
薄膜晶体管
,
化学气相淀积法
