雷平水
,
史伟民
,
郭燕明
,
邱永华
,
潘美军
功能材料
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).
关键词:
多晶
,
碘化汞
,
物理气相沉积
,
探测器
郭余英
,
史伟民
,
魏光普
,
邱永华
,
夏义本
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.026
硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%.
关键词:
硫化锡
,
太阳电池
,
掺杂
,
真空蒸发
,
电阻率
葛艳辉
,
史伟民
,
魏光普
,
徐菁
,
邱永华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.043
采用电沉积法制备了CdS薄膜.分别用XRD及SEM分析了薄膜的结构和表面形貌.研究了不同温度和不同沉积电压对薄膜表面硫与镉的化学成分比的影响.最佳的沉积电压为2.5～3V之间.制作了ITO/n-CdS/p-SnS/Ag结构的太阳能电池,在100mW/cm2的光强下其开路电压0.2V,短路电流13.2mA/cm2,填充因子0.31,转换效率0.81%.
关键词:
CdS
,
电沉积
,
太阳能电池
邱永华
,
史伟民
,
魏光谱
,
雷平水
,
葛艳辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.037
由于硫化锡具有与硅相近的禁带宽度,安全环保,吸收系数也很高,因此非常适合做太阳能电池的吸收层,近年来已成为国内外专家的研究热点.本文围绕硫化锡薄膜材料的生长制备、性质表征以及基于硫化锡的薄膜太阳能电池的研究进展进行了较为详细的阐述,并对硫化锡太阳能电池的研究前景进行了探讨.
关键词:
硫化锡
,
薄膜
,
制备方法
,
太阳电池
