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邱春文 , 石旺舟 , 王晓晶 , 周燕
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.016
本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜.第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶.通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射(XRD)谱分析,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关.采用该工艺成功地制备了结晶度92%左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜.
关键词: 多晶硅带衬底 , 多晶硅薄膜 , 等离子体化学气相沉积法 , 二次引铝 , 低温制备
邱春文 , 石旺舟 , 黄羽中
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.011
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.
关键词: PECVD法 , 多晶硅薄膜 , 低温制备
