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衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响

闫丹 , 吴平 , 邱宏 , 俞必强 , 赵云清 , 张师平 , 吕反修

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.011

采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.

关键词: 射频磁控溅射 , HfO2薄膜 , 衬底温度 , 微观结构

掺杂态聚苯胺(Doped-PANI)的电导率-温度特性和形态结构研究

李靖 , 方鲲 , 邱宏 , 毛卫民 , 吴其晔

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.z1.031

溶液聚合合成的盐酸掺杂的聚苯胺(Doped-PANI)粉末压制成圆片样品,用扫描电子显微镜观察样品的形态结构;用四探针法测量样品的室温电导率,并在80~280K温度区间内测量样品的电导率随温度变化关系.掺杂态聚苯胺(Doped-PANI)由粒径在100~500nm圆形颗粒组成,表现出良好的导电特性,其室温电导率为1.70S/cm,且电导率-温度变化关系可以用一维和三维变程跳跃(1D/3D-VRH)混合模型加以解释.

关键词: 聚苯胺 , 电导率 , 电导率-温度变化特性

半导体量子点/聚合物纳米复合材料研究进展

方鲲 , 路阳 , 王凤平 , 邱宏

材料导报

半导体量子点/聚合物纳米复合材料是在分子尺度上形成的先进光电功能材料,其综合了半导体和聚合物材料的各自优点,并呈现出独特的电学、光学和光电子学等特性.根据聚合物中掺杂纳米半导体量子点材料的种类不同,对半导体量子点/聚合物纳米复合材料的制备、分类、器件结构与特性和研究进展进行了概要评述,并展望了其发展趋势.

关键词: 半导体量子点 , 聚合物 , 纳米复合材料 , 光电特性

纳米导电高分子材料结构特性和制备方法研究进展

方鲲 , 毛卫民 , 冯惠平 , 潘成 , 吴其晔 , 邱宏

材料导报

纳米导电高分子不仅具有导电性能,而且具有纳米材料的特殊性能.综述了纳米导电高分子材料的结构特性、分类、制备方法及研究进展,并提出了未来的研究发展方向.

关键词: 导电高分子材料 , 纳米材料 , 结构特性 , 制备方法

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