邢玉梅
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陶凯
,
俞跃辉
,
郑志宏
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杨文伟
,
宋朝瑞
,
沈达身
功能材料
用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s).借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2.借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能.
关键词:
SOI材料
,
氧化铪
,
薄膜
杨艳
,
邢玉梅
,
曾志刚
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张春
,
杨鹏辉
,
胡志宇
材料导报
Zintl相热电材料符合"电子晶体-声子玻璃(Electron crystal-phonon glass,简称PGEC)"的概念,其中阴离子区域充当"电子晶体",阳离子区域充当"声子玻璃",分别控制材料的电导和热导特性,可实现通过多途径提高其热电性能,是非常具有开发前景的热电材料.详细总结了近年来发现的几种性能突出的Zintl相热电材料,探索了提高其热电性能的途径,最后展望了Zintl相热电材料的发展及应用前景.
关键词:
Zintl相
,
热电材料
,
热导率
,
电导率
,
热电优值
邢玉梅
,
俞跃辉
,
林梓鑫
,
宋朝瑞
,
杨文伟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.010
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系.
关键词:
碳化硅
,
离子束合成
,
埋层
