邢志刚
,
贾海强
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王文新
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陈弘
中国材料进展
GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件,在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难.针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状,本研究组做出了有意义的富有创新性的工作:提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高;通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层,制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED.
关键词:
发光二极管
,
氮化镓
,
晶体生长
