刘雪华
,
邓芬勇
,
翁卫祥
,
王欣
,
林玮
,
唐电
中国有色金属学报
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似，研究Ru掺杂SnO 2形成的Sn 0.875 Ru 0.125 O 2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构，比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明：Ru掺杂后SnO 2的晶胞体积缩小，复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化，导致材料的导电类型呈现近金属特性，揭示Ru掺杂后SnO 2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。
关键词:
Sn基氧化物
,
Ru掺杂
,
第一性原理计算
,
电子结构
,
导电性能
刘雪华
,
刘钰如
,
王欣
,
邓芬勇
,
唐电
材料热处理学报
通过第一性原理,结合采用密度泛函理论对金红石型SnxRu1-xO2(0≤x≤1)涂层结构进行了计算,并通过局域密度近似方法对不同比例的SnxRu1-xO2固溶体晶体结构进行优化.发现Sn的增加对Ru-Sn氧化物的点阵常数产生影响;并获得Ru-Sn氧化物晶胞体积V与固溶度x之间的拟合公式.结果表明,该拟合公式与实验数据吻合较好.
关键词:
RuO2-SnO2固溶体
,
第一性原理
,
密度泛函理论
,
局域密度近似方法
