谢莎
,
邓爱红
,
王康
,
王玲
,
李悦
,
王勇
,
汪渊
材料研究学报
用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用x射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响.结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变；钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少,在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放,且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高；钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降.
关键词:
金属材料
,
磁控溅射钨膜
,
慢正电子束分析
,
H
,
He
王康
,
邓爱红
,
龚敏
,
卢晓波
,
张元元
,
刘翔
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2016.00266
利用SEM和慢正电子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦离子注入和注氦后不同温度退火的多晶W中He相关缺陷的演化机制。结果表明,W材料中由多能氦离子注入引入的空位型缺陷数目随着He+注量的升高而增大;220 ℃退火引起注氦W样品中的间隙W原子与空位的复合,降低了材料中的空位型缺陷数目;450 ℃和650 ℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸与退火温度有关,650 ℃退火的样品中观测到直径达600 nm的大尺寸He泡和孔洞结构。
关键词:
W
,
He
,
正电子湮没
,
空位型缺陷
李悦
,
邓爱红
,
刘莉
,
王康
,
谢莎
材料研究学报
利用x射线衍射(xRD)和慢正电子束分析(SPBA)技术研究高温退火后含He钛膜的微观结构和钛膜内He相关缺陷的演化.XRD分析表明,高温退火后Ti和Si在高温下发生反应形成稳定的多晶TiSi2化合物,He原子的掺入会影响TiSi2晶体的择优取向,而对TiSi2晶粒尺寸的影响较小.SPBA结果表明,室温下,钛膜内的缺陷浓度或尺寸会随着掺He浓度的增加而增大;高温退火后,当He浓度小于5％(原子分数,下同)时(除2％外),钛膜内的He相关缺陷浓度随着He浓度增加相应地增加.当He浓度增加到14％时,高温会使较高浓度的He原子、He-空位复合体以及小He泡迁移聚集形成一些尺寸较大He泡,而较大He泡周围与He相关的小尺寸缺陷的浓度则会发生相应地减少.
关键词:
金属材料
,
含He钛膜
,
直流磁控溅射
,
He相关缺陷
,
XRD
,
SPBA
