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大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究

苏赞加 , 刘飞 , 李力 , 莫富尧 , 金顺玉 , 陈军 , 邓少芝 , 许宁生

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.019

报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法.该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线.所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30~125 nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构.场发射特性测试结果表明,AlN超长纳米线的开启电场为6.3 V/μm,阈值电场为12.2 V/μm,最大电流密度达1 440μA/cm2.这暗示着AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料.

关键词: AlN超长纳米线 , 无催化剂 , 场发射

DLC薄膜处理的碳纳米管冷阴极场发射特性

秦靓 , 邓少芝 , 许宁生 , 陈军

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.008

碳纳米管(CNT)作为场发射冷阴极材料被应用于真空微纳电子器件.如何获得低电场发射和稳定发射,是碳纳米管冷阴极在器件中应用需要解决的问题.选择类金刚石(DLC)薄膜,利用磁过滤真空弧等离子技术产生DLC薄膜,对碳纳米管表面进行镀膜处理.场发射实验表明,经DLC薄膜处理后的碳纳米管冷阴极的场发射开启电场强度由3.3 MV/m下降至1.9 MV/m,相应的阈值电场强度也从6.5 MV/m下降至5.3 MV/m,并且在场发射性能提高的同时场发射的均匀性没有受到影响.DLC膜处理可以作为一种改善碳纳米管冷阴极场发射特性的技术.

关键词: 场发射 , 碳纳米管 , 碳纳米管冷阴极 , DLC薄膜

基于极点聚焦全极点滤波器减小LCD运动模糊的方法

钟翊炜 , 邓少芝 , 刘志军 , 闫晓林

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.05.021

提出一种基于极点聚焦技术的减少LCD运动模糊效应的方法,通过建立二维全极点滤波器,采取分块处理方法对视频信号进行处理,并采用模拟仿真的方法进行实验评估,结果表明极点聚焦全极点滤波器对于减小LCD的运动图像模糊具有一定的效果,尤其是在图像高频出现的地方效果明显.所提出的方法具有算法简单,便于硬件实现的优点.

关键词: TFT-LCDs , 运动模糊 , 极点聚焦全极点滤波器 , 视频处理

塑料基底a-Si:H TFT制备技术

姚建可 , 许宁生 , 邓少芝 , 陈军 , 佘峻聪 , 王彬

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.018

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si:H TFT阵列(20×20).用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si:H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si:H薄膜和n+a-Si:H薄膜的电导率.a-Si:H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以SiH和SiH2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7~8.8×10-6 S/cm;n+a-Si:H薄膜的电导率为3.8×10-3 S/cm.所制备的TF工具有以下性能:Ioff≈1×10-14 A,Ionn≈1×10-9 A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5 V,μ≈0.113cm2/(V·s),S≈2.5 V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求.

关键词: 塑料基底 , a-Si:H TFT , 柔性显示

EDMA数据传输方式在基于DSP的视频信号处理系统中的应用

陈振华 , 邓少芝 , 许宁生

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.014

视频信号传输是视频信号处理系统的关键技术,文章介绍利用EDMA数据传输方式、在基于TI公司的数字信号处理器(DSP)TMS320C6713芯片的视频信号处理系统中实现视频数据信号高速传输的一种方案.介绍了方案中的DSP外部储存器接口与FIFO存储器的硬件接口设计,并着重描述了基于EDMA数据传输方式的实现方法和软件设计流程.利用EDMA在CPU后台高效地实现存储空间的数据搬移,并在EDMA中断服务程序中对视频数据信号进行处理,DSP的中央处理单元就能够专注于信号处理和系统功能控制,从而满足视频信号处理系统的高速实时性要求.

关键词: 增强直接存储器访问 , 数字信号处理器 , 视频信号处理

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