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硅基AlN应力和压电极化研究

邓咏桢 , 孔月婵 , 郑有炓 , 周春红 , 沈波 , 张荣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.012

通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化,Raman谱观察到两个声子峰位分别在619.5 cm-1(A1(TO))和668.5 cm-1(E2(high)).通过光学声子E2(high)的频移为13 cm-1计算...

关键词: 拉曼谱 , 应力 , 压电极化 , Si-N键