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Co4Sb12-xSex的高温高压合成及电学输运性能研究

秦丙克 , 李尚升 , 李小雷 , 宿太超 , 马红安 , 陈孝洲 , 姜一平 , 邓乐 , 柳洋 , 任国仲 , 贾晓鹏

功能材料

利用高压(2~5GPa)固相反应法合成了单相的方钴矿多晶体化合物Co4Sb12-xSex(0≤x≤1.2).室温下对其电阻率(ρ),Seebeck系数(S)以及微观形貌(SEM)进行了测试分析.结果表明,高压固相反应法合成的样品Co4Sb12-xSex具有细小的晶粒和大量的晶界,晶粒直径处于微纳米级.样品的Seebeck系数绝对值随Se置换浓度(x)而增大,电阻率随Se置换浓度x的升高而显著增大.在合成压强为4.25GPa时,样品Co4Sb10.8Se1.2具有绝对值最大的Seebeck系数501.59μV/K,Co4Sb11.9Se0.1获得最大的功率因子值为3.77μW/cm·K2.

关键词: 方钴矿 , 热电材料 , 载流子浓度 , 晶体结构 , 高温高压

Ba0.32Co4Sb12-xTex的高压合成及其电学性质

柳洋 , 任国仲 , 宿太超 , 马红安 , 邓乐 , 姜一平 , 郑世钊 , 林乐静 , 秦丙克 , 贾晓鹏

材料研究学报

在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba0.32CO4Sb12-xTex(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质.结果表明:Ba填充Te置换型方钴矿Ba0.32Co4Sb12-xTex为n型半导体;在不同压力下,随着Te填充分数的增加.Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高.在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba0.32CO4Sb11.9Te0.1化合物功率因子达到最大值(9.7μWcm-1K-2).

关键词: 无机非金属材料 , 热电材料 , 方钴矿 , 功率因子 , 高温高压

压力对CoSb2.750TexGe0.250-xn型方钴矿化合物的电输运性能的影响

姜一平 , 贾晓鹏 , 马红安 , 邓乐 , 郑世钊

功能材料

采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律.室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析.电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低.功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高.CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/(cm·K2).

关键词: 方钴矿 , 高温高压 , 热电材料

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