汤慧萍
,
王建
,
逯圣路
,
杨广宇
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.03.05
电子束选区熔化成形技术(Selective Electron Beam Melting,SEBM),是20世纪90年代中期发展起来的一类新型增材制造技术,具有能量利用率高、无反射、功率密度高、扫描速度快、真空环境无污染、低残余应力等优点,特别适合活性、难熔、脆性金属材料的直接成形,在航空航天、生物医疗、汽车、模具等领域具有广阔的应用前景.10年来,作者团队主要开展SEBM成形钛合金的研究,合金包括TC4、TA7、Ti600、TiTaNbZr、TiAl金属间化合物等;零件包括复杂薄壁、桁架/多孔及多孔/致密复合结构零件;并且搭建了从粉末制备、设备研发到技术服务的全产业链SEBM技术平台,通过科技成果转化成立了从事SEBM技术的专业化企业——西安赛隆金属材料有限责任公司.从成形装备、成形过程缺陷形成与控制、材料组织性能和主要应用4个方面,对国内外SEBM技术的发展现状进行了综述,最后对SEBM技术的发展前景进行了展望.
关键词:
电子束选区熔化成形
,
成形装备
,
缺陷控制
,
组织特性
,
增材制造
,
随形热处理
,
生物多孔植入体
厉英
,
逯圣路
,
王常珍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00427
采用固相反应法在1400℃合成了CaZr1-xInxO3-α(x=0, 0.05, 0.10, 0.15)陶瓷粉体, 在空气中1550℃, 10 h对材料进行二次烧结. XRD物相分析结果确定合成后的样品中有CaZrO3和微量CaIn2O4存在. 实验在600?850℃含水氩气中测量了样品的交流阻抗谱, 计算出其电导率随温度变化的规律和电导激活能. 在800℃时, CaZr1-xInxO3-α的电导率分别为4.64×10-7 S/cm(x=0)、3.06×10-4 S/cm(x=0.05)、3.89×10-4 S/cm(x=0.10)、3.93×10-4 S/cm (x=0.15). 研究结果表明: 对CaZrO3掺In能显著提高材料的电导率, 降低电导激活能, 掺杂量x>0.1时, 电导率增加变缓, 并且电导率随温度的升高而增大. 研究得到CaZr1-xInxO3-α的电导率与掺杂量的关系式.
关键词:
质子导体; 阻抗谱; 电导率; 掺杂
厉英
,
逯圣路
,
王常珍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00427
采用固相反应法在1400℃合成了CaZr1-xInxO3-a(x=0,0.05,0.10,0.15)陶瓷粉体,在空气中1550℃,10h对材料进行二次烧结.XRD物相分析结果确定合成后的样品中有CaZrO3和微量CaIn2O4存在.实验在600～850℃含水氩气中测量了样品的交流阻抗谱,计算出其电导率随温度变化的规律和电导激活能.在800℃时,CaZn-xInxO3-a的电导率分别为4.64× 10-7 S/cm(x=0)、3.06×10-4 S/cm(x=0.05)、3.89×10-4 S/cm(x=0.10)、3.93×10-4 S/cm (x=0.15).研究结果表明:对CaZrO3掺In能显著提高材料的电导率,降低电导激活能,掺杂量x＞0.1时,电导率增加变缓,并且电导率随温度的升高而增大.研究得到CaZr1-xInxO3-a的电导率与掺杂量的关系式.
关键词:
质子导体
,
阻抗谱
,
电导率
,
掺杂
