车俊
,
姚熹
,
姜海青
,
汪敏强
稀有金属材料与工程
介绍了一种采用高能球磨方法制备ZnSe纳米晶粉体的新方法.通过实验获得了最佳球磨工艺参数.ZnSe粉体的XRD分析表明,在氮气保护下,球磨60 min即可获得纯立方闪锌矿结构,避免了ZnO相的出现.晶粒的尺寸用Scherrer公式计算为5 nm,用TEM直接观察的尺寸为10 nm左右.同时电子衍射分析也证明了所获得的纳米ZnSe粉体为立方闪锌矿结构.
关键词:
高能球磨
,
纳米晶体粉
,
ZnSe
,
TEM
裴志斌
,
杜红亮
,
车俊
,
魏晓勇
,
屈绍波
无机材料学报
采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能.
关键词:
PNW-PMS-PZT压电陶瓷
,
morphotropic phase boundary
,
rhombohe-dral
,
tetragonal
车俊
,
姚熹
,
姜海青
,
汪敏强
稀有金属材料与工程
介绍了一种采用高能球磨方法制备ZnSe纳米晶粉体的新方法.通过实验获得了最佳球磨工艺参数.ZnSe粉体的XRD分析表明,在氮气保护下,球磨60 min即可获得纯立方闪锌矿结构,避免了ZnO相的出现.晶粒的尺寸用Scherrer公式计算为5 nm,用TEM直接观察的尺寸为10 nm左右.同时电子衍射分析也证明了所获得的纳米ZnSe粉体为立方闪锌矿结构.
关键词:
高能球磨
,
纳米晶体粉
,
ZnSe
,
TEM
陈建华
,
屈绍波
,
朱林户
,
裴志斌
,
车俊
稀有金属材料与工程
采用传统陶瓷工艺制备了镧掺杂(Na0.5Bi0.5)TiO3无铅压电陶瓷,研究了材料的结构、介电和压电性能.发现镧掺杂有利于生成稳定的钙钛矿结构,促进了晶粒生长.镧掺杂(Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷表现出明显的弛豫特性,当镧掺杂量为5mol%时,1200℃烧结样品室温下的介电常数从630提高到855,介电损耗从5.2%减小到3.3%.适量的镧掺杂大幅降低了材料的电导率,最佳的掺杂量为1 mol%,测量温度为75℃时,该配方1200℃烧结样品的电导率σ仅为7.75148×10-13S·cm-1,同掺杂前的9.50827×10-11 S·cm-1前相比减小了3个数量级.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
钛酸铋钠
,
镧掺杂
屈绍波
,
姚熹
,
杜红亮
,
车俊
,
裴志斌
稀有金属材料与工程
采用传统电子陶瓷工艺制备了(PNW-PMS-PZT-x ω/%Fe2O3)四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明1150℃烧结陶瓷为纯钙钛矿相结构,随着Fe2O3掺杂量的增加,材料体系由四方相向三方相过渡;随着Fe2O3添加量的增加,晶粒逐渐变大.详细研究了不同剂量的铁掺杂对压电陶瓷介电和压电性能的影响,随着Fe2O3掺杂量的增加,εr,d33和kp逐渐增加,Fe2O3掺杂量为0.2ω/%时达到各自的最大值,然后逐渐降低;随着Fe2O3掺杂量的增加,tanδ和Tc逐渐减少,Qm逐渐增大.Fe2O3掺杂量为0.2 ω/%的PNW-PMS-PZT压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器.其性能为:εr=1965,tanδ=0.0059,kp=0.642,Qm=1358,d33=360 pC/N和Tc=225℃.
关键词:
PNW-PMS-PZT
,
压电陶瓷
,
铁掺杂
,
介电性能
,
压电性能
裴志斌
,
杜红亮
,
车俊
,
魏晓勇
,
屈绍波
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.036
采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS的含量在5～6mol%、PNW的含量在2～3mol%、PZT的含量在91～93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能.
关键词:
PNW-PMS-PZT压电陶瓷
,
准同型相界
,
三方相
,
四方相
