于威
,
卢海江
,
路万兵
,
孟令海
,
王新占
,
韩理
,
傅广生
功能材料
采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氮化纳米硅薄膜,利用Raman散射、x射线衍射、红外吸收等技术对不同氮稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究.结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,随着氮稀释比的增加,所沉积薄膜的晶化度及纳米晶硅的晶粒尺寸单调增加,纳米硅颗粒呈现在(110)方向的择优生长趋势.键合特性分析显示,随氢稀释比增加,薄膜中整体健合氮含量减小,而SiH2 健合比例呈现显著增加趋势,该结果反映了氮原子刻蚀和纳米硅界面面积比的同时增强.光学吸收谱分析表明,通过改变反应气体的氢稀释比,可实现从1.72^-1.84eV光学带隙可调的纳米硅薄膜制备.
关键词:
纳米晶硅薄膜
,
电感耦合等离子体
,
晶态比
,
氢稀释比
于威
,
杜洁
,
张丽
,
崔双魁
,
路万兵
,
傅广生
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00540
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术进行了氢化纳米晶态SiC薄膜的沉积, 研究了氢流量对其微结构和光学特性的影响. 结果显示: 随着氢气流量的增大, 薄膜的沉积速率先增大后减小, 所生长薄膜晶化度显著提高. 在较低氢流量条件下, 薄膜光学带隙的大小由氢的刻蚀与悬键终止作用共同控制,并呈先减小后增大的趋势. 在高氢流量条件下, 强的氢刻蚀使薄膜具有较高的晶化度, 虽然薄膜中整体氢含量有所下降, 但存在于纳米碳化硅晶粒表
面键合氢的相对密度持续增大, 纳米碳化硅晶粒数量的增加和晶粒尺寸的减小所导致的量子限制效应使薄膜的光学带隙继续展宽.
关键词:
纳米碳化硅
,
H2 flow rate
,
microstructure
,
optical property
于威
,
杜洁
,
张丽
,
崔双魁
,
路万兵
,
傅广生
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.024
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术进行了氢化纳米晶态SiC薄膜的沉积,研究了氢流量对其微结构和光学特性的影响.结果显示,随着氢气流量的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,所生长薄膜晶化度显著提高.在较低氢流量条件下,薄膜光学带隙的大小由氢的刻蚀与悬键终止作用共同控制,并呈先减小后增大的趋势.在高氢流量条件下,强的氢刻蚀使薄膜具有较高的晶化度,虽然薄膜中整体氢含量有所下降,但存在于纳米碳化硅晶粒表面键合氢的相对密度持续增大,纳米碳化硅晶粒数量的增加和晶粒尺寸的减小所导致的量子限制效应使薄膜的光学带隙继续展宽.
关键词:
纳米碳化硅
,
氢气流量
,
微观结构
,
光学特性
