彭述明
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赵鹏骥
,
龙兴贵
,
杨茂年
,
赵朝前
,
梁建华
,
罗顺忠
,
徐志磊
金属学报
基于局域密度泛函理论, 结合赝势方法, 研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质. 研究结果表明, H原子填入ZrV2晶胞中的2 Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定, 填入1 Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之, 填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差; 吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变; 随含H量增大, 晶格常数增大; 当H/ ZrV2小于2.0时, ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力. H在ZrV2合金中的固溶度小, p-C坪台长, 室温平衡压低, 有利于贮存氢同位素.
关键词:
ZrV2合金
,
null
,
null
彭述明
,
赵鹏骥
,
龙兴贵
,
杨茂年
,
赵朝前
,
梁建华
,
罗顺忠
,
徐志磊
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.02.002
基于局域密度泛函理论,结合赝势方法,研究了ZrV2-H体系的结构及其能量性质.研究结果表明,H原子填入ZrV2晶胞中的2Zr2V四面体间隙所形成的氢化物最稳定,填入1Zr3V四面体间隙所形成氢化物的稳定性次之,填入4V四面体间隙所形成氢化物的稳定性最差;吸H前后ZrV2合金晶体结构类型不变;随含H量增大,晶格常数增大;当H/ZrV2小于2.0时,ZrV2的氢化物应具有较强的抗粉化能力H在ZrV2合金中的固溶度小,p-C坪台长,室温平衡压低,有利于贮存氢同位素.
关键词:
ZrV2合金
,
贮氢
,
第一原理
张占文
,
吴卫东
,
魏胜
,
王朝阳
,
黄勇
,
许华
,
赵鹏骥
材料导报
C60掺杂研究是C60研究领域的一个重要组成部分。C60掺杂化合物从制备方法上分主要有内掺杂和外掺杂两种。从掺杂原子类型分主要有碱金属掺杂、碱土金属掺杂和其它原子掺杂。掺杂种类不同,所得到的结构和性质也不同。C60掺杂化合物最吸引人的性质是其超导电性。在简单介绍C60结构性质的基础上,对C60掺杂化合物的掺杂种类、制备、结构和性质进行综述。
关键词:
C60
,
掺杂
,
薄膜