赵鸿滨
,
屠海令
,
杜军
,
张心强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.04.012
采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2 O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变特性.Pt/La2O3/Pt器件单元表现出了稳定的双极性电阻转变,其高低阻态比大于两个数量级.经过大于1.8×106s的读电压,高低阻态的电阻值没有明显的变化,表现出了良好的数据保持能力.通过研究高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系,揭示了导电细丝的形成和破灭机制是导致Pt/La2O3/Pt器件发生电阻转变现象的主要原因.
关键词:
氧化镧
,
电阻转变
,
非易失性
,
脉冲激光沉积
郭亿文
,
张心强
,
熊玉华
,
杜军
,
杨萌萌
,
赵鸿滨
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.015
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移.高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20.
关键词:
Al2O3
,
Gd2O3-HfO2
,
堆栈层
,
磁控溅射
,
快速退火
张心强
,
屠海令
,
杜军
,
杨萌萌
,
赵鸿滨
,
杨志民
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.013
以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为“cube-on-cube”,GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110] GDH∥[110]Ge.通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著.得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃.用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm.采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al 堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0～6MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz～1 MHz,结果表明,厚度为5nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k-28,EOT ～0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用.
关键词:
Gd2O3
,
HfO2
,
Ge
,
外延
,
激光脉冲沉积
,
高k
曾亭
,
吴革明
,
赵鸿滨
,
杨萌萌
,
魏峰
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.012
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯.XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长.拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构.通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性.在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因.同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳；而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低.
关键词:
石墨烯
,
低压化学气相沉积法
,
Raman光谱
,
光刻和刻蚀
,
退火
,
输运特性
冯志鹏
,
魏峰
,
赵鸿滨
,
杨志民
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.XY15033101
采用射频磁控溅射技术在透明导电氧化铟锡(ITO)玻璃上沉积了不同工作压强和不同氧分压(氧氩比)条件下的WO3薄膜并研究了其电致变色特性.采用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了所制备薄膜的成分结构和表面形貌,采用电化学测试工作站和紫外可见双束分光光度计对薄膜的电致变色循环伏安特性和光调制性能进行了研究.结果表明,射频磁控溅射制备的WO3薄膜的成分结构和电致变色循环伏安特性之间存在着一定的影响关系;相对于氧分压,薄膜沉积过程中的工作压强对WO3薄膜的成分结构和电致变色性能的影响更加明显,随着工作压强的增大,薄膜由晶态逐渐转变为非晶态,薄膜表面微观结构更加粗糙,进而具有更优的循环伏安特性和更宽的光调整范围.
关键词:
WO3薄膜
,
射频磁控溅射
,
电致变色
,
循环伏安
,
工作压强
