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脉冲时间间隔对激光烧蚀Si粒子密度分布的影响

褚立志 , 李艳丽 , 邓泽超 , 丁学成 , 赵红东 , 傅广生 , 王英龙

人工晶体学报

采用Monte Carlo方法,对脉冲激光烧蚀所产生的烧蚀粒子在环境气体中的输运过程进行了数值模拟.研究了不同脉冲时间间隔与交叠区位置振荡幅度之间的关系,结果表明脉冲时间间隔影响了交叠区的振荡强弱,随着脉冲时间间隔的增加,交叠区的振荡幅度减小,脉冲时间间隔为10 μs时达到最小值,而后开始增大.所得结果为进一步研究烧蚀粒子在环境气体中的输运动力学过程提供了理论依据.

关键词: 脉冲激光烧蚀 , Monte Carlo模拟 , 纳米Si晶粒 , 交叠区

基于平面波展开法的二维立方晶格光子晶体带隙研究

孙渤 , 赵红东 , 冯嘉鹏 , 郭正泽 , 姚奕洋 , 王炯杰

人工晶体学报

应用平面波展开法(PMW)计算了圆形立方品格、正方形立方晶格及正六边形立方晶格三种不同结构的二维空气柱光子晶体带隙结构.结果表明,空气柱光子晶体存在对应TE、TM模的完全禁带,并且圆形空气柱光子晶体存在完全带隙.比较而言,圆形空气柱立方晶格的TE模禁带与完全禁带最宽,最宽禁带宽度分别为0.137(ωa/2πc)与0.018(ωa/2 πc),正方形空气立方晶格的TM模禁带最宽,最宽禁带宽度为0.119(ωa/2πc).

关键词: 光子晶体 , 平面波展开法 , 带隙 , 空气柱立方晶格

激光烧蚀硅靶下荷电粒子和纳米晶粒的电流响应研究

褚立志 , 于燕超 , 邓泽超 , 丁学成 , 赵红东 , 王英龙

人工晶体学报

采用波长为308 nm的XeCl脉冲准分子激光器,在5~50 Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在烧蚀点正前方、距靶1.5 cm处放置一个中心开孔直径为2 mm的挡板,挡板后面上下对称放置两个极板,然后串联一个标准电阻接地,电阻大小为10 Ω,利用高分辨数字存储示波器记录并测量回路中产生的瞬间电流来研究荷电粒子和纳米晶粒的电流响应.实验结果表明烧蚀产物中的正离子在气压为5 Pa时到达极板上数量最多.纳米Si晶粒带正电并且随着气压的增加纳米Si晶粒下落到极板的数量呈现先增大后减小趋势,在气压为8 Pa时达到最大值,这与扫描电子显微镜的测量结果基本一致.所得结果为进一步研究烧蚀粒子在环境气体中的输运动力学过程提供了依据.

关键词: 脉冲激光烧蚀 , 纳米Si晶粒 , 尺寸 , 电流

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