赵策
,
曾虹燕
,
王亚举
,
刘平乐
,
李玉芹
,
杨永杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00874
采用尿素法制备高结晶度Mg-Al 水滑石(MAH), 系统研究了Mg-Al水滑石“记忆效应”及其对Cr(VI) 阴离子吸附性能的影响. 通过XRD、FT-IR、SEM、DSC以及去卷积分析对MAH、重构“记忆”MAH (RMAH)以及MAH的金属氧化物(MAO)、RMAH的金属氧化物(RMAO)进行表征分析. 结果表明, 重构的“记忆”RMAH和前体MAH均具高结晶度水滑石层状晶体结构特征, 两者晶体结构和层板电荷密度几乎无差异. MAO仍保留层状结构, 而再次重构的RMAO中MgAl2O4尖晶石晶相增多, 仍有层状结构残留. 由于水滑石强结构“记忆效应”, 使Mg-A1 LDOs(MAO和RMAO)对Cr(VI)阴离子吸附能力大大强于Mg-A1 LDHs(MAH和RMAH). MAO对Cr(VI)阴离子吸附能力高于RMAO, 可能由于RMAH焙烧形成的RMAO中MgAl2O4尖晶石含量增多及层状结构消减, 导致其“记忆效应”重构能力衰减, 从而使RMAO对Cr(VI)阴离子吸附能力下降.
关键词:
Mg-Al水滑石
,
memory effect
,
Cr(VI)
,
adsorption
,
descent
赵策
,
曾虹燕
,
王亚举
,
刘平乐
,
李玉芹
,
杨永杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00874
采用尿素法制备高结晶度Mg-Al水滑石(MAH),系统研究了Mg-Al水滑石“记忆效应”及其对Cr(VI)阴离子吸附性能的影响.通过XRD、FT-IR、SEM、DSC以及去卷积分析对MAH、重构“记忆”MAH (RMAH)以及MAH的金属氧化物(MAO)、RMAH的金属氧化物(RMAO)进行表征分析.结果表明,重构的“记忆”RMAH和前体MAH均具高结晶度水滑石层状晶体结构特征,两者晶体结构和层板电荷密度几乎无差异.MAO仍保留层状结构,而再次重构的RMAO中MgAl2O4尖晶石晶相增多,仍有层状结构残留.由于水滑石强结构“记忆效应”,使Mg-AlLDOs(MAO和RMAO)对Cr(VI)阴离子吸附能力大大强于Mg-Al LDHs(MAH和RMAH).MAO对Cr(VI)阴离子吸附能力高于RMAO,可能由于RMAH焙烧形成的RMAO中MgAl2O4尖晶石含量增多及层状结构消减,导致其“记忆效应”重构能力衰减,从而使RMAO对Cr(VI)阴离子吸附能力下降.
关键词:
Mg-Al水滑石
,
记忆效应
,
铬(VD
,
吸附
,
衰减
