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赵福川 , 谈惠祖 , 杜立新 , 莫培根
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.02.011
研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.
关键词: 垂直凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长
詹琰 , 夏冠群 , 赵福川 , 李传海 , 朱朝嵩
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.014
研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.
关键词: 砷化镓 , MESFET , 旁栅效应 , 旁栅阈值电压
谈惠祖 , 杜立新 , 赵福川
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.017
在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶.
关键词: 垂直梯度凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长
