王洪森
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赵玉辉
表面技术
目的 研究ZnO∶Si薄膜厚度对其生长速率、结晶度、光透率和电阻率的影响.方法 用直流磁控溅射系统在玻璃基片上沉积不同的时间,获得5个厚度不同的ZnO∶Si薄膜样品,对比研究了其薄膜生长取向和结构特性、微观形貌、电学参数及透过率曲线.结果 5个ZnO∶Si薄膜样品都为多晶膜,具有单一的(002)衍射峰,沿垂直于基片的c轴方向择优生长.当薄膜厚度从207.6 nm增加到436.1 nm时,薄膜的晶粒尺寸增大,晶化程度提高,电阻率变小;膜厚增至497.8 nm时,薄膜的晶化程度反而降低,电阻率增加.在可见光范围内,5个薄膜样品的平均透过率都高于91.7％.结论 膜厚对ZnO∶Si薄膜的电学性能有较大影响,对光学性能的影响则较小.
关键词:
透明导电薄膜
,
ZnO∶Si
,
光电特性
,
薄膜厚度
