吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料
用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
图形化的衬底电极
,
两级场放大
吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.008
采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳纳米管的场致电子发射.该阴极制备工艺简单、发射特性优异,且容易实现大面积制备,可以应用到大面积场发射显示器件中.
关键词:
碳纳米管
,
场发射阴极
,
银台阵列
,
电泳淀积
,
电化学淀积
曹连振
,
蒋红
,
宋航
,
李志明
,
赵海峰
,
吕文辉
,
刘霞
,
郭万国
,
阎大伟
,
孙晓娟
,
缪国庆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.
关键词:
碳纳米管
,
线阵列
,
热化学气相淀积
,
场发射特性
田珊珊
,
魏志鹏
,
赵海峰
,
高娴
,
方铉
,
唐吉龙
,
楚学影
,
方芳
,
李金华
材料导报
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征.硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高.而样品表面的Al2 O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2 O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能.
关键词:
InP
,
光致发光
,
硫钝化
,
表面态密度
,
Al2O3薄膜
陈芳
,
魏志鹏
,
刘国军
,
唐吉龙
,
房丹
,
方铉
,
高娴
,
赵海峰
,
王双鹏
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.23.006
半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景.半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位.扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性.简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测.探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望.
关键词:
扫描近场光学显微技术
,
半导体材料
,
超高空间高分辨率
曾乐勇
,
王维彪
,
梁静秋
,
夏玉学
,
雷达
,
陈松
,
刘丽丽
,
赵海峰
,
任新光
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.006
采用化学镀银的方法,制备了银包覆的金刚石复合材料,并利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼(Raman)光谱对样品的形貌和微结构进行了表征.利用电泳沉积的方法,制备了均匀的金刚石/银复合材料薄膜,场发射测试结果表明,在22 V/μm的电场下,金刚石/银复合材料的发射电流密度可达23.7 μA/cm2;而在26 V/μm的电场下,高压金刚石薄膜的发射电流密度仅为0.2 μA/cm2.与高压金刚石薄膜的场发射结果相比,金刚石/银复合材料的场发射性能有明显的提高.银的存在使银与金刚石界面处形成电子发射区,在外加电场作用下,该区域电子优先隧穿表面势垒逸出到真空,形成场致电子发射.
关键词:
场发射
,
金刚石
,
银
王辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
蒋红
,
缪国庆
,
李志明
,
赵海峰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.010
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417 nm和436 nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合.
关键词:
光致发光
,
碳化硅
,
HFCVD
赵海峰
,
赵勇
,
韩翠芬
,
李瑞生
连铸
对钙处理技术在CSP工艺中的应用进行了研究与分析,结合生产实际,对钙和Ca/Als的变化区间范围进行了统计研究和分析,提出了技术指标的合理范围.
关键词:
CSP工艺
,
钙处理技术
,
变化区间
,
Ca/Als
,
统计分析
张占杰
,
刘朴
,
赵海峰
,
袁国
,
赵金华
,
吴志生
钢铁研究
隧道掘进机破岩的主要工具是刀圈.分析了刀圈常见失效形式,选取了2种刀圈,用直读光谱仪测定其成分,通过金相和透射电镜比较其显微组织,用维氏硬度计和冲击试验测定了硬度和冲击功.刀圈一的硬度约为700 HV,冲击功2～3 J；刀圈二的硬度大于530 HV,冲击功30～40 J.比较了其生产工艺的不同,提高材料的纯净化、均匀化和细化晶粒,优化热处理工艺,刀圈材料在满足高硬度要求时可保证高韧性.
关键词:
TBM滚刀刀圈
,
失效分析
,
显微组织
,
高韧性
,
热处理
