毕孝国
,
修稚萌
,
马伟民
,
孙旭东
,
赵洪生
,
郭国友
,
付杰
,
丁千
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.040
本文研究了生长气氛和生长速度在焰熔法金红石单晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率.研究表明:金红石单晶体的生长受炉膛气氛、生长界面温度和生长速度的影响;炉膛气氛决定晶体能否形成,是关键因素;炉膛气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件;晶体在退火过程中消除热应力,但更重要的是通过氧化反应消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间.在所优化的实验条件下制备的晶体,完整性较好,透过率为70～72%,与商用晶体的透过率基本一致.
关键词:
金红石
,
晶体生长
,
焰熔法
,
摇摆曲线
毕孝国
,
修稚萌
,
孙旭东
,
赵洪生
,
曹忠杰
,
郭国有
,
肖继田
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.028
采用高纯(99.995%)、超细的金红石(TiO2)粉末为起始原料,用燃熔法制备了尺寸为30mm×50mm的金红石(TiO2)单晶体.讨论了生长气氛、生长速度、温度梯度在晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率,并与商用晶体的透过率进行了比较.实验表明:生长气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的必要条件;在此条件下,能否生长为大尺寸晶体则取决于炉膛的轴向温度梯度;晶体在退火过程中可消除热应力,但退火更重要的作用是通过氧化反应消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间;所制备的晶体完整性较好,透过率与商用晶体基本一致.
关键词:
金红石
,
晶体生长
,
燃熔法
,
透过率
,
摇摆曲线
王青亮
,
赵洪生
,
沈利
,
栗争光
,
赵九洲
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00071
研究了不同组成的KF-AlF3系溶剂对KBF4与Al熔体界面反应的影响. 结果表明,采用不同组成的KF-AlF3系溶剂时, 在氟化盐/Al界面处均有铝硼化合物层形成;当采用共晶成分或过共晶成分KF-AlF3溶剂时, 铝硼化合物层与Al之间存在的AlF3可使铝硼化合物层与Al局部或完全脱离; 当采用亚共晶成分KF-AlF3溶剂时, 在氟化盐/Al界面处未观察到AlF3存在.对不同组成KF-AlF3系溶剂和KBF4的反应过程进行了研究,分析了氟化盐/Al界面处AlF3的形成机理.
关键词:
Al
,
KBF4
,
AlF3
,
interfacial reaction
,
solvent composition
毕孝国
,
黄菲
,
何风鸣
,
赵洪生
,
孙旭东
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.028
本文以氯化锶和氯化钛为原料,采用控制水解法制备SrTiO3原料粉末,使用焰熔法生长了SrTiO3单晶体.晶体生长参数为:原料粉末粒度为-200+250目,炉膛气氛的氢氧比H/O为6.00,生长速度为12mm/h,获得了直径30mm,长60mm的单晶.晶体生长过程中,晶体顶部熔体的溢流是妨碍获得大尺寸完整晶体的一个最主要的问题.本文详细讨论了SrTiO3单晶体生长过程中的溢流的成因和解决办法.
关键词:
SrTiO3
,
晶体生长
,
溢流
,
焰熔法
,
超导基片
王超
,
林飞
,
赵洪生
,
孟庆森
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.05.011
利用Gleeble1500热模拟试验机等试验设备,对挤压态AZ31镁合金进行预处理及高/恒应变速率下压缩超塑性研究.研究表明,挤压态镁合金在温度300℃,保温时间30 min为晶粒细化的较佳温度和保温时间,同时在300℃,应变速率为0.01～10 s-1的条件下进行压缩试验,外缘圆周伸长率均超过158.3%,压缩真应变达1.898以上,实现了高应变速率下的压缩超塑性.
关键词:
AZ31
,
细化品粒
,
加热工艺
,
恒/高应变速率
,
压缩超塑性
王青亮
,
赵洪生
,
沈利
,
栗争光
,
赵九洲
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00071
研究了不同组成的KF-AlF3系溶剂对KBF4与Al熔体界面反应的影响.结果表明,采用不同组成的KF-AlF3系溶剂时,在氟化盐/Al界面处均有铝硼化合物层形成；当采用共晶成分或过共晶成分KF-AlF3溶剂时,铝硼化合物层与Al之间存在的AlF3可使铝硼化合物层与Al局部或完全脱离；当采用亚共晶成分KF-AlF3溶剂时,在氟化盐/Al界面处未观察到AlF3存在.对不同组成KF-AlF3系溶剂和KBF4的反应过程进行了研究,分析了氟化盐/Al界面处AlF3的形成机理.
关键词:
Al
,
KBF4
,
AlF3
,
界面反应
,
溶剂组成
林金平
,
王俊
,
赵洪生
腐蚀与防护
采用电化学测试法研究了微量镓(0.02％～0.06％Ga,质量分数,下同)的添加对4N精铝在5％NaCl溶液中的耐蚀性能.结果表明,随着Ga含量的增加,精铝的开路电位和点蚀电位朝着负方向移动,腐蚀速率和点蚀发生系数增大；电化学阻抗谱结果表明,随着Ga含量的增加,精铝的氧化膜电阻减小,材料耐蚀性降低；当Ga含量低于0.03％时,Ga对精铝的耐蚀性的影响较小.因此,精铝中的Ga含量应控制在0.03％以下.
关键词:
Al-Ga合金
,
极化曲线
,
阻抗测试
,
点蚀
