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大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

郎荣福 , 荣剑英 , 赵秀平 , 李将录 , 赵洪安

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.016

采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.

关键词: 垂直区熔法 , Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3 , 大尺寸晶锭

半导体材料室温热导率测试装置的研制

赵洪安

人工晶体学报

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