赵晓锋
,
江奇
,
谢德钰
,
张
,
蒋海春
,
孙培秋
,
赵勇
功能材料
以无机材料Fe3O4为模板,将在碳纳米管(CNT)功能化后,包裹在模板表面,然后再将苯胺单体接枝在CNT表面,之后采用化学氧化法,将接枝于CNT表面的苯胺单体聚合成聚苯胺(PANI),从而制备CNT/PANI空心球复合材料.用傅立叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对复合材料进行成分和形貌的表征.用循环伏安法、恒流充放电和循环寿命等电化学测试手段来表征复合材料的电化学性能.研究结果表明所制备的复合材料比容量可达到185F/g(有机电解液),高于同样条件下所制备的纯PANI和采用一般方法所制备的CNT/PANI复合材料的电化学容量(65F/g,152F/g),显示出良好的应用前景.
关键词:
聚苯胺/碳纳米管空心球
,
模板法
,
比容量
赵晓锋
,
温殿忠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.015
基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结.采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-si异质结,I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其,I-V特性进行分析.
关键词:
MEMS
,
异质结
,
磁控溅射
,
ZnO薄膜
赵晓锋
,
温殿忠
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.050
基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜.采用X射线衍射仪(XRD) 和场发射扫描电子显微镜(SEM) 对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向.对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强.结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大.
关键词:
PECVD
,
多晶硅薄膜
,
晶粒
,
退火
赵晓锋
,
江奇
,
郭亚楠
,
黄彬
,
赵勇
功能材料
采用循环伏安法在不锈钢上电化学制备碳纳米管/聚苯胺(CNTs/PANI)复合材料,并研究了不同扫速下(10、20、50、100、200mV/s)碳纳米管/聚苯胺复合材料的电化学性能.研究结果表明,复合材料中由于CNTs自身的大比表面积和强的导电率改善了复合物微观结构和导电性能,并且使聚苯胺更易电沉积到CNTs的表面形成核-壳结构,从而增加聚苯胺与电解液的接触机会.并且在扫速为20mV/s时生成的聚苯胺/碳纳米管膜具有导电率高,比容量大的电容性能,在 22A/m~2的电流密度下充放电测试,测其单电极比容量高达 397F/g,远高于纯聚苯胺的比容量205F/g.
关键词:
聚苯胺/碳纳米管
,
电化学聚合
,
比容量
赵晓锋
,
温殿忠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.031
采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF-PECVD)以高纯SiH4为气源在P型<100>晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13.56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜.采用x射线衍射仪(XRD)、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为<111>晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20～40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱.
关键词:
PECVD
,
纳米晶粒
,
非晶硅
,
多晶硅
,
高温退火
赵晓锋
,
温殿忠
,
王天琦
,
丁玉洁
功能材料
以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响.结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强.
关键词:
纳米多晶硅薄膜
,
结构特性
,
LPCVD
,
退火
赵晓锋
,
江奇
,
郭亚楠
,
张楠
,
单长星
,
赵勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00091
通过有机化学合成法使苯胺单体接枝到碳纳米管表面, 然后再经化学原位聚合法制备碳纳米管/聚苯胺复合材料. 用傅立叶变换红外光谱和扫描电子显微镜对复合材料的成分和形貌进行表征. 用循环伏安法、恒流充放电和电化学阻抗等电化学测试手段来表征复合材料的电化学性能. 研究结果表明，所制备的复合材料比容量可达到152F/g（有机电解液）, 显著高于同样条件下的纯聚苯胺、纯碳纳米管及由原位化学聚合法所制备碳纳米管/聚苯胺复合材料的电化学容量(65、25、80F/g), 显示出良好的应用前景.
关键词:
碳纳米管/聚苯胺复合材料
,
electrochemical performance
,
organic chemistry synthesis
赵晓锋
,
江奇
,
郭亚楠
,
张楠
,
单长星
,
赵勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00091
通过有机化学合成法使苯胺单体接枝到碳纳米管表面,然后再经化学原位聚合法制备碳纳米管/聚苯胺复合材料.用傅立叶变换红外光谱和扫描电子显微镜对复合材料的成分和形貌进行表征.用循环伏安法、恒流充放电和电化学阻抗等电化学测试手段来表征复合材料的电化学性能.研究结果表明,所制备的复合材料比容量可达到152F/g(有机电解液),显著高于同样条件下的纯聚苯胺、纯碳纳米管及由原位化学聚合法所制备碳纳米管/聚苯胺复合材料的电化学容量(65,25,80F/g),显示出良好的应用前景.
关键词:
碳纳米管/聚苯胺复合材料
,
电化学性能
,
有机化学合成法
赵晓锋
,
刘祖亮
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2011.00381
以盐酸羟胺、1,1,1-三甲基肼碘化物(TMHI)和4-氨基-1,2,4-三唑(ATA)为胺化剂,研究了2-氨基-3,5-二硝基吡啶(1)和2-氨基-3,5-二硝基吡啶-1-氧化物(3)的亲核取代(VNS)胺化反应.结合VNS胺化反应机理讨论了胺化剂活性、胺化剂和胺化底物的立体、电子效应对产物的组成和收率的影响.以羟胺为胺化剂时,氨基可被引入到底物的6-位和4-位,胺化产物的收率在64%～89%之间;以TMHI和ATA为胺化剂时,氰基只能被引入到底物的6-位,胺化产物的收率在90%以上;在相同条件下,胺化产物的收率随胺化剂活性的提高而提高;受N+→O-的影响,化合物3的胺化产物收率稍高于化合物1的胺化产物收率.
关键词:
氨基二硝基吡啶
,
氨基二硝基吡啶氧化物
,
亲核取代胺化
,
胺化剂
艾春鹏
,
赵晓锋
,
白忆楠
,
冯清茂
,
温殿忠
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).015
研究射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO 薄膜阻变特性.实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为?002?晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4．8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO 薄膜具有阻变特性且开关比可达104.
关键词:
ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
微结构
,
阻变特性
