谢清连
,
游峰
,
黄国华
,
李建映
,
左涛
,
何明
,
季鲁
,
张玉婷
,
赵新杰
,
方兰
,
阎少林
人工晶体学报
本文采用原子力显微镜(AFM)和XRD研究了生长在蓝宝石(11-02)基片上的CeO_2缓冲层在不同的退火温度和退火时间下表面形貌和相结构的变化,以及对Tl-2212薄膜超导特性的影响.AFM和XRD研究表明,CeO_2薄膜在流动氧环境中退火,表面形貌发生显著的变化;CeO_2薄膜在最佳条件下退火后,可获得原子级光滑表面,结晶质量明显提高.实验结果表明,缓冲层的结晶质量和表面粗糙度与Tl-2212薄膜的超导特性密切相关.在经过最佳条件退火后的CeO_2缓冲层上制备了厚度为500 nm无裂纹的Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(T_c)达到107 K,液氮温度下临界电流密度(J_c)为3.9 MA/cm~2(77 K,0 T),微波表面电阻(R_s)约为281 μΩ(77 K,10 GHz).
关键词:
Tl-2212超导薄膜
,
缓冲层
,
AFM
黎松林
,
陈莺飞
,
王瑞兰
,
徐小平
,
田海燕
,
王奉波
,
雍俐培
,
胡芳仁
,
赵新杰
,
林德华
,
郑东宁
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.061
优化了各项试验参数,运用后退火方法成功制备了2英寸Tl-2212超导薄膜.为避免真空室污染,制备过程中先利用脉冲激光法在LaAlO3基片上沉积出不含Tl的Ba2CaCu2Ox前驱膜,然后在720～740℃下的流动氩气氛中进行铊化后退火处理,制备的薄膜外观均匀光滑.2θ扫描表明,薄膜具有良好的c轴外延性.SEM图像显示,薄膜以层状生长为主,表面存在孔洞、团状颗粒以及少量针状晶粒.最佳薄膜零电阻温度TC0～108K,临界电流密度Jc>106A/cm2,表面电阻Rs～0.5mΩ.
关键词:
超导薄膜
,
脉冲激光沉积
,
Tl-2212
左涛
,
季鲁
,
孙磊
,
王传亮
,
赵新杰
,
孙冬艳
,
张畅
,
徐长亮
,
王利
,
方兰
,
阎少林
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.015
开发了一种基于模型的高温超导滤波器仿真设计方法和一种紧凑的组群式G型谐振器结构,研制出了用于WCDMA系统上的带宽为20MHz中心频率为1950MHz的8阶高温超导滤波器. 该滤波器由Tl2Ba2CaCu2O8薄膜制作而成,制作在LaAlO3衬底上,尺寸大小仅为26mm×18mm. 实测结果显示滤波器的最小插入损耗为0.25dB,带外抑制大于70dB,回波损耗好于-16dB,实测的滤波器带宽、中心频率以及边带陡峭度也与仿真设计结果吻合很好,验证了设计方法和制作工艺的准确性.
关键词:
高温超导
,
滤波器
,
仿真
路荣涛
,
方兰
,
何明
,
赵新杰
,
马永昌
,
周铁戈
,
贾颖新
,
王建伟
,
路昕
,
阎少林
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.050
采用直流磁控溅射和在纯氩气中后热处理的方法,在LaAlO3(001)衬底上生长出厚度小于100nm的Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212)超导薄膜.在77K和零磁场下,100nm厚的薄膜具有105.3K的超导转变温度和2.33×106A/cm2的临界电流密度.这些值与较厚的Tl-2212薄膜的最好值相符.30nm厚的薄膜仍具有大于100K的转变温度,并具有光滑致密的表面形貌和外延生长的晶体结构.20nm厚的薄膜仍显示出正常态的金属行为和充分的超导转变.当厚度小于20nm时,薄膜的表面形貌和超导电性明显变坏,6nm厚的薄膜在15K低温下,未发现超导转变.从这个意义上看,20nm为我们所研究的Tl-2212薄膜的临界厚度.
关键词:
路昕
,
阎少林
,
赵新杰
,
方兰
,
何明
,
左涛
,
曾立山
,
周铁戈
,
路荣涛
,
陈国鋕
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.04.004
在MgO衬底上,利用共蒸发方法制备DyBa2Cu3O7作为缓冲层,再利用磁控溅射和后处理方法,制备了Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜.X射线衍射θ～2θ及φ扫描结果表明Tl-2212薄膜、Dy-123薄膜与衬底MgO呈外延生长关系.制备的Tl-2212薄膜Tc＝105.5K,液氮温度下临界电流密度Jc＝2.5×106A/cm2.
关键词:
铊系高温超导薄膜
,
Tl2Ba2CaCu2O8
,
缓冲层
阎少林
,
方兰
,
赵新杰
,
何明
,
路荣涛
,
路昕
,
周铁戈
,
贾颖新
,
王建伟
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.04.003
本文报导用磁控离子溅射和后热处理方法在LaAlO3(001)衬底上制作2英寸双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212) 超导薄膜的方法和薄膜的特性.XRD测试表明薄膜具有纯的Tl-2212相和c轴垂直于膜面的织构.衬底两侧薄膜的结晶形貌和超导电性均匀,超导转变温度Tc一般为105 K左右,液氮温度下临界电流密度Jc>2×106A/cm2,10GHz频率下表面电阻最小达到350μΩ,可满足超导微波滤波器实用的需要.
关键词:
超导薄膜
,
Tl2Ba2CaCu2O8
,
表面电阻
,
微波滤波器
谢清连
,
季鲁
,
潘吟松
,
张玉婷
,
黄国华
,
赵新杰
,
方兰
,
阎少林
稀有金属材料与工程
采用直流磁控溅射法和后退火技术在蓝宝石基片上制备了Tl-2212超导薄膜,考察了Tl-2212薄膜的厚度对其形貌和超导特性的影响.实验结果表明,随着超导薄膜厚度增加,其表面形貌由致密平整的结构演化为片状晶体结构,临界转变温度rc和临界电流密度Jc先增大后减小,微波表面电阻Rs先减小后增大.在退火的CeO2缓冲层上所制备的无裂纹薄膜的最大厚度达到600 nm,并仍然具有良好的超导性能.
关键词:
Tl-2212超导薄膜
,
蓝宝石
,
表面形貌
,
超导特性
周铁戈
,
李永刚
,
季鲁
,
张旭
,
赵新杰
,
左旭
,
阎少林
,
方兰
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.041
我们利用Tl-2212超导薄膜制作出了的本征约瑟夫森结型负阻器件.对于4 μm长3 μm宽的微桥型负阻器件,峰值电压为0.09V,峰值电流为1.44mA,谷值电压为0.75V,谷值电流为1.05mA,线性区间内负阻阻值约为-1400Ω.利用这种器件,制作了简单的负阻并联式电流放大器.实验证明它确实对信号具有电流放大作用,放大倍数可以通过改变负载电阻的大小来改变.
关键词:
负阻器件
,
本征约瑟夫森效应
,
Tl-2212超导薄膜
阎少林
,
方兰
,
何明
,
路荣涛
,
马永昌
,
赵新杰
,
周铁戈
,
贾颖新
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.008
我们采用磁控离子溅射和后热处理的方法,在LaAlO3(001)单晶衬底上制作了2英寸直径的双面Tl-2212超导薄膜.薄膜的表面均匀,结构致密.X-光θ-2θ测试表明,薄膜具有很纯的Tl-2212超导相,并具有c-轴垂直于膜面的织构.电磁测试结果表明,薄膜的超导电性均匀,临界温度Tc大于100K,临界电流密度Jc(77K,0T)约1×106A/cm2, 微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约0.5mΩ.
关键词:
谢清连
,
游峰
,
蒙庆华
,
季鲁
,
周铁戈
,
赵新杰
,
方兰
,
阎少林
人工晶体学报
本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响.XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向.最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和 4.24 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求.
关键词:
Tl-2212超导薄膜
,
YSZ
,
CeO2缓冲层
