熊德赣
,
程辉
,
刘希从
,
赵恂
,
鲍小恒
,
杨盛良
,
堵永国
材料导报
AlSiC电子封装材料及构件具有高热导率、低膨胀系数和低密度等优异性能,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,应用范围从功率电子封装到高频电子封装.综述了国内外制备AlSiC电子封装材料及构件所涉及的预制件成形、液相浸渗铸造、力学性能、气密性、机械加工、表面处理和构件连接等方面的研究进展.
关键词:
AlSiC电子封装材料
,
预制件
,
液相浸渗
,
机械加工
,
表面处理
,
构件连接
刘猛
,
李顺
,
白书欣
,
赵恂
,
熊德赣
材料导报
详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiC/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法.分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法.
关键词:
电子封装材料
,
SiCp/Cu
,
制备方法
,
界面反应
,
界面调控
万红
,
邱轶
,
斯永敏
,
赵恂
稀有金属材料与工程
研究了SmCo薄膜的复合及热处理对TbDyFe薄膜磁性及磁致伸缩性能的影响.XRD分析表明制备态的TbDyFe薄膜为非晶态,在450℃退火后,样品仍保持非晶态结构.退火处理减少了薄膜的垂直各向异性,并且退火热应力有利于薄膜的易磁化轴转向膜面,从而提高了薄膜的磁导率和TbDyFe薄膜低场下的磁致伸缩值.磁控溅射的SmCo薄膜有良好的软磁性能,它的复合也能有效地增强TbDyFe薄膜的低场磁致伸缩性能.
关键词:
TbDyFe薄膜
,
超磁致伸缩
,
磁控溅射
王晓东
,
李廷举
,
金俊泽
,
赵恂
,
熊德赣
,
姜冀湘
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.04.001
介绍了一种用于搅拌金属复合熔体的磁力搅拌法,洛仑兹力是由高速旋转的永磁体磁场产生的.分析了NbFeB永磁体在空间的磁感应强度分布情况.研究表明:磁感应强度的大小在空间分布类似于鞍形，在高度方向上衰减很快;磁场转速对磁力搅拌效果影响明显，涡旋磁场与金属熔体间的偏置度为25mm时，增强颗粒较易加入;用磁力搅拌法搅拌复合熔体具有力源与熔体无直接接触，对熔体无污染，磁场具有可设计性,设备和生产成本低等优点.
关键词:
磁场
,
磁感应强度
,
电磁搅拌
,
颗粒增强金属基复合材料
王菊香
,
赵恂
,
潘进
,
尹新方
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.04.016
本文介绍了超声电解法制备超细金属粉的工艺方法；通过改变溶液浓度、超声功率、电流密度等条件，探索了制备超细铜粉和镍粉的工艺条件；用透射电镜(TEM)、X射线小角散射(SAXS)、X射线衍射(XRD)等对所得粉末进行了粒度的判别和结构分析。研究表明，在合适的条件下可得到100 nm以下的铜粉和镍粉，并且粉末粒度随电流密度的增大而增大。粉末粒度与电流密度的这种关系与超声的空化作用机理有关，超声在制粉过程中不仅起到降低粉末粒度的作用，而且对沉积过程也有一定的影响。
关键词:
超声
,
电解
,
超细金属粉
刘猛
,
白书欣
,
李顺
,
赵恂
,
熊德赣
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2014.08.012
采用真空气压浸渗方法制备Sip/Al复合材料,研究硅颗粒表面炭化和氮化处理对Sip/Al复合材料组织结构和性能的影响.结果表明:炭化和氮化处理可在硅颗粒表面生成炭化硅层和氮化硅层,能有效地阻止高温制备时铝对硅的溶解,提高复合材料的性能.经1300℃炭化处理2h后制得的体积分数为50％的Sip/Al复合材料,其热导率达139.98W·(m· K)-1,相比未作处理的提高约30％;经1200℃氮化处理2h后制得的体积分数为50％的Sip/Al复合材料,其热导率为128.80W· (m· K)-1,相比未作处理的提高约20％.
关键词:
Sip/Al复合材料
,
界面设计
,
微观组织
,
热导率
刘猛
,
白书欣
,
李顺
,
赵恂
,
熊德赣
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.08.002
采用热压烧结法成功制备SiCp／Cu复合材料。采用溶胶‐凝胶工艺在SiC颗粒表面制备Mo涂层，研究Mo界面阻挡层对复合材料热物理性能的影响。结果表明：过氧钼酸溶胶‐凝胶体系能够在S iC颗粒表面包覆连续性、均匀性较好的MoO3涂层，最佳工艺配比为SiC∶MoO3＝5∶1（质量比）、过氧化氢∶乙醇＝1∶1（体积比），SiC表面丙酮和氢氟酸预清洗处理有利于M oO3涂层的沉积生长。M oO3在540℃第一步氢气还原后转变为M oO2，M oO2在940℃第二步氢气还原后完全转变为Mo ，Mo涂层包覆致密完整。热压烧结SiCp／Cu复合材料微观组织致密均匀，且相比原始SiC颗粒增强的SiCp／Cu ，经溶胶‐凝胶法界面改性处理的SiCp／Cu复合材料热导率明显提高，SiC体积分数约为50％时，SiCp／Cu复合材料热导率达到214．16W · m －1· K －1。
关键词:
溶胶-凝胶
,
表面改性
,
Mo涂层
,
SiCp/Cu
,
热压烧结
,
热导率
刘猛
,
白书欣
,
李顺
,
赵恂
,
熊德赣
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射法在碳化硅(SiC)颗粒表面成功制备了金属钼(Mo)涂层,分析了Mo涂层的成分和形貌;为改善初始涂层成分和形貌,对镀Mo改性SiC复合粉体进行了不同工艺的结晶化热处理,重点研究了熟处理对SiC颗粒表面Mo涂层形貌和成分的影响.结果表明,磁控溅射法能够在SiC颗粒表面沉积Mo涂层,随磁控溅射时间的延长,SiC颗粒表面Mo涂层的粗糙度增大,但磁控溅射后SiC颗粒表面Mo涂层为非晶态.热处理能够有效改善SiC颗粒表面Mo涂层的成分、形貌及结晶状态,在600～1200℃之间结晶化热处理过程中,随热处理温度升高,SiC颗粒表面Mo涂层形貌主要经历了以下4个阶段变化:Mo涂层初步致密化—Mo的结晶致密化—Mo涂层的聚集长大—Mo与SiC之间化学反应;相应的Mo原子的存在状态也经历了如下变化:非晶态Mo原子—晶态Mo原子—Mo2C和MoSi2.其中800～900℃之间为最佳热处理温度,此时Mo涂层致密均匀包覆完整.SiC表面连续均匀致密的Mo涂层,有利于改善SiC颗粒增强金属基复合材料中基体与增强体之间的界面结合并控制不利界面反应,有利于复合材料综合性能的提高,必将扩大SiC颗粒作为增强体的应用范围.
关键词:
碳化硅
,
表面改性
,
磁控溅射
,
Mo涂层
,
热处理
