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用XRD和ACS测量研究Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ超导体的应力钉扎机制

崔利杰 , 段瑞飞 , 李阳 , 曹国辉 , 马庆珠 , 董成 , 赵忠贤 , 魏龙

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.02.001

利用X射线衍射(XRD)和交流磁化率(Acχ)方法系统地研究了Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.0~1.0)超导体,研究发现Eu掺杂替代了Y晶位后引起了晶格失配.这种晶格失配与电流密度有密切的联系.对于不同掺杂成分样品,X射线衍射线形分析表明(006)及(007)衍射峰型随掺杂量变化,掺杂浓度在30%和70%附近时,半高宽(FWHM)出现极大值,表明此时样品的晶格失配最大.与此相对应,电流密度Js也在此掺杂浓度范围内达到极大值.我们在晶格失配应力场的钉扎模型下对实验现象进行了讨论,认为Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ超导体中由元素替代引起的晶格失配应力场是有效的钉扎中心.

关键词:

多晶MgC1-xNi3的微结构弛豫谱研究

姚永新 , 应学农 , 黄以能 , 王业宁 , 任治安 , 车广灿 , 闻海虎 , 赵忠贤 , 丁景文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.013

我们测量了千赫兹范围内超导及非超导MgC1-xNi3样品从液氮温度至室温的微结构弛豫谱.对于超导样品,发现了两个内耗峰:P1(300K)和P2(125K).而对于非超导样品,P1峰位移到了250K,而P2峰几乎被完全抑制.变频实验发现随着测量频率升高,P2峰移向高温,计算所得激活能为0.13eV.我们认为P2峰可能与C原子在偏心位置的跳跃有关.进一步我们可以猜测C原子的这种行为与许多实验中观察到的超导样品在150K和50K正常态度越行为相对应.

关键词:

Nb1-xB2(x=0~0.7)超导体的高压合成和超导电性

李克强 , 车广灿 , 陈红 , 贾顺莲 , 黄伟文 , 赵忠贤

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.022

利用高温高压手段合成了系列Nb缺位的Nb1-xB2超导体.在x=0~0.7的范围内都可得到单相的AlB2结构样品.整配比的NbB2中未发现超导电性,当x大于零后,可观察到超导电性出现.最高转变温度Tc接近9K.

关键词:

磁性Gd3+离子对Chevrel相超导体PbMo6S8的临界电流和输运性质的影响

郑东宁 , 林淑媛 , 倪泳明 , 赵忠贤

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.003

采用高温固态反应和均衡热压方法相结合,我们制备了一系列Gd掺杂的Chevrel相GdxPb1-xMo6S8超导样品.为了研究掺入的磁性Gd3+离子对于磁通线的钉扎作用和对临界电流及其它性质的影响,我们系统地测量了样品的电阻率,热电势,比热和临界电流密度.同时,我们计算了磁性Gd3+离子与磁通线之间的相互作用和这种作用可能导致的磁通钉扎及对临界电流的影响,并与实验结果进行了比较.结果显示除非Gd3+离子的分布是非常不均匀的,Gd3+离子所引起的钉扎是不重要的.另一方面,热电势和电阻率等输运性质及比热的结果显示由于Gd3+取代了Pb2+使载流子浓度降低了.载流子浓度的降低进而引起其它超导参数如热力学临界场Bc的变化,导致钉扎势的减小,最终降低了临界电流.

关键词:

空气中制备高性能单畴Gd-Ba-Cu-O熔融织构块材

代建清 , 赵忠贤

稀有金属材料与工程

采用顶部热籽晶技术和"二步冷却"的生长工艺,并通过在前驱物中加入BaCuO2-δ,在空气中制备出了高性能的Gd-Ba-Cu-O单畴熔融织构高温超导块材.其与国际上常用的OCMG工艺制备出的高温超导熔融织构样品处在同一水平.系统研究了制备工艺、BaCuO2-δ含量、Gd211含量以及高温Ar气氛退火(ArPA)对Gd-Ba-Cu-O单畴熔融织构样品超导性能的影响.

关键词: Gd-Ba-Cu-O , 熔融织构 , 超导性能

EXAFS测定金属玻璃Cu_(70)Ti_(30)原子近邻结构

常龙存 , 陆坤权 , 赵雅琴 , 韩福森 , 赵忠贤

金属学报

用RU-1000转靶X射线源及其测角仪系统,采集了金属玻璃Cu_(70)Ti_(30)室温(T=300K)和低温(T=80K)Cu的K吸收EXAFS谱。用本实验室编的“EXAFS数据处理程序库”对数据进行处理,以理论计算背散射振幅及相移值作数据拟合的方法,得到Cu原子与近邻原子的间距、配位数及Debye-waller因子等。讨论了Cu_(70)Ti_(30)金属玻璃中化学短程有序及Cu原子近邻结构的特征。

关键词:

Ar气氛退火对LRE-Ba-Cu-O单畴熔融织构样品超导性能的影响

代建清 , 赵忠贤

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00309

采用顶部热籽晶技术和“二步冷却”生长工艺, 在空气中制备了Gd-Ba-Cu-O、(SmGd)-Ba-Cu-O和(SmEuGd)-Ba-Cu-O三种体系的单畴熔融织构样品, 并研究了Ar气氛退火(ArPA)对所制备的单畴样品超导性能的影响. 结果表明, 三种体系的单畴样品77K下的俘获场分布均呈中心对称的圆锥形, 其中SEG样品的冻结场达到0.34T(φ18mm), 与OCMG工艺制备的相同尺寸的样品处在同一水平. Ar气氛退火对三种体系单畴样品超导性能的影响不同: 对Gd-Ba-Cu-O体系, ArPA不能进一步提高单畴样品的临界电流密度; 而对(SmGd)-Ba-Cu-O和(SmEuGd)-Ba-Cu-O体系, 合适温度下的ArPA可以大幅度提高样品的超导性能.

关键词: LRE-Ba-Cu-O , melt-processing , post-annealing in Ar

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