孙静
,
康琳
,
刘希
,
赵少奇
,
吉争鸣
,
吴培亨
,
郝西萍
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.005
在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较.通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀,再进行SEM观察切面图像,发现离子刻蚀出来的薄膜边缘,与离子源与基片摆放的方向有很大的关系,而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定,有利于我们制备更好质量的超导隧道结.
关键词:
反应离子刻蚀RIE
,
离子刻蚀
,
SEM成像
陈亚军
,
康琳
,
蔡卫星
,
施建荣
,
赵少奇
,
吉争鸣
,
吴培亨
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.004
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.
关键词:
NbN
,
AlN
,
磁控溅射
,
XRD
,
c轴取向
赵少奇
,
康琳
,
吴培亨
,
叶宇达
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.008
我们用射频磁控溅射方法,在Si(100)单晶衬底上生长MgO薄膜,借助X射线衍射(XRD)分析发现,我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜,分别是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜和晶格常数为0.812nm的新结构的MgO薄膜.我们研究了溅射气压、衬底温度等工艺参数对两种晶体结构择取的影响.实验表明,高的溅射气压和高的衬底温度有利于晶格常数为0.812nm的新结构的MgO相的形成.在高的气压和温度下,我们制备出了晶格常数为0.812nm,具有很好的4次对称性的MgO外延薄膜.利用原子力显微镜(AFM)研究了这种薄膜的表面形貌.
关键词:
MgO
,
射频磁控溅射
,
0.812nm
,
0.421nm
