詹琰
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潘利坤
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赵占霞
,
李拥华
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王德明
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马忠权
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.04.015
采用Verilog硬件描述语言设计了用于USB2.0设备控制中的端点控制器.端点数可由用户配置最多达16个.支持8位/16位USB接口,并支持8位/16位/32位AHB或8051接口以及32位的DMA接口.该端点控制器采用180nm CMOS工艺进行流片,所有功能均通过了测试.
关键词:
USB2.0
,
端点控制器
,
Verilog硬件描述语言
,
CMOS
马晓敏
,
赵占霞
,
宋晨辰
,
赵磊
,
马忠权
人工晶体学报
用于太阳电池窗口层的材料必须具有好的耐蚀性.利用射频磁控溅射的方法分别在300℃、350℃、400℃、450℃的沉积温度下制备透明导电Sc掺杂ZnO薄膜(SZO).用X射线衍射仪对样品的结构进行表征.结果表明,所有SZO薄膜均为六角纤锌矿结构,在(002)衍射峰位上相对于纯ZnO粉末有微小的偏移.用动电位扫描极化曲线和交流阻抗谱表征SZO薄膜的耐腐蚀性能,研究结果表明随沉积温度的升高,SZO薄膜的耐腐蚀性增强.在可见光范围内SZO薄膜透过率达85％以上,经3.5％的NaCl溶液腐蚀24h后薄膜透过率仍在80％以上.
关键词:
太阳电池
,
掺杂ZnO薄膜
,
抗腐蚀性能
,
透过率
缪存星
,
赵占霞
,
栗敏
,
徐飞
,
马忠权
人工晶体学报
利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.
关键词:
射频磁控溅射
,
SZO薄膜
,
溅射压强
,
透明导电氧化物
赵占霞
,
栗敏
,
詹颜
,
王德明
,
马忠权
,
孙铁囤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.017
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.
关键词:
纳米硅薄膜
,
RF溅射
,
Ⅰ-Ⅴ曲线
,
能带模型
