李果
,
蒲明华
,
孙瑞萍
,
王文涛
,
张欣
,
武伟
,
雷鸣
,
张红
,
杨烨
,
程翠华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.
关键词:
CeO2缓冲层
,
高分子辅助
,
化学溶液沉积
雷鸣
,
李果
,
孙瑞萍
,
蒲明华
,
王文涛
,
武伟
,
张欣
,
张红
,
张勇
,
程翠华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
用一种新的化学溶液沉积方法在双轴织构NiW (200)合金基底上制备了涂层导体用稀土氧化物RE2O3(RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb)缓冲层.分别利用X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜对制得的RE2O3缓冲层的相结构、织构、表面形貌和平整度进行了检测.结果表明,RE2O3缓冲层具有较好的双轴织构,表面平整无裂纹.
关键词:
RE2O3缓冲层
,
化学溶液沉积
,
双轴织构
王志
,
邵慧萍
,
叶青
,
林涛
,
郭志猛
,
何新波
,
赵勇
,
林均品
稀有金属材料与工程
将凝胶注模成形技术应用于制备钛铝合金中,分别以氢化钛粉和铝粉、钛粉和铝粉为原料,经过低温烧结制成TiAl合金粉,经凝胶注模成形后通过脱胶和高温无压烧结制备了TiAl合金制件.结果表明:钛、铝粉在500℃保温2h,再在600℃保温3h得到TiAl合金粉,氢化钛、铝粉在750℃保温3h得到TiAl合金粉;烧结工艺分别为1450℃保温2h和1400℃保温2h,可以得到致密度不同的制件,它们的致密度分别为91％和96.75％.
关键词:
凝胶注模成形
,
氢化钛粉和钛粉
,
钛铝合金
,
无压烧结
王庆阳
,
闫果
,
刘国庆
,
李金山
,
张平祥
,
卢亚峰
,
杨烨
,
蒲明华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
以无定形碳粉末作为掺杂物质,通过固相烧结的方法,在750℃,高纯氩气保护下,热处理2 h制备了MgB2-xCx(x=0,0.05,0.10,0.20,0.30)超导块材.用X射线衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM)和物性测试仪(PPMS)对样品的微观结构和超导电性进行了系统分析.结果显示,在750℃热处理条件下,有部分碳进入MgB2的晶格中,其余碳处于MgB2的晶界处.少量碳掺杂可以有效细化MgB2晶粒,并改善MgB2的超导电性.MgB1.9C0.1块材的临界电流密度(Jc)在20 K,3 T条件下达到8×104A/cm2,表明无定形碳掺杂可有效提高MgB2的磁通钉扎.
关键词:
MgB2超导块材
,
无定形碳粉
,
掺杂
,
显微结构
闫勇
,
张艳霞
,
李莎莎
,
晏传鹏
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
,
余洲
功能材料
采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜，研究了不同的真空无硒退火温度（150～350。C）对CIGs薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外一可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明，室温下制备的CIGS薄膜为非晶态，随退火温度升高发生非晶CIGS→，CuSe→，CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低，光透过性能最差。退火温度超过200。C便生成CIGS相，C1GS相的结晶质量随退火温度升高而改善，薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
关键词:
退火温度
,
射频磁控溅射
,
CIGS薄膜
,
相变历程
张艳霞
,
冀亚欣
,
欧玉峰
,
闫勇
,
李莎莎
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
,
余洲
功能材料
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响.研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向.溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向.溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高.随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织.
关键词:
直流磁控溅射
,
择优取向
,
晶带模型
,
电性能
刘国庆
,
熊晓梅
,
王庆阳
,
闫果
,
刘春芳
,
卢亚锋
,
杨烨
,
蒲明华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)研究了纯MgB2超导块材和C掺杂的MgB2超导块材的水解行为对微观结构和超导电性的影响.结果表明,纯MgB2和C掺杂的MgB2超导体与水之间存在明显的化学反应.C掺杂部分进入MgB2的晶格中,其余部分以第二相粒子形式存在于晶界处,使得首先发生于晶界的水解反应受到抑制,从而提高了MgB2超导体的水解稳定性,减缓了水解反应速度.
关键词:
MgB2超导体
,
C掺杂
,
水解
秦公平
,
赵立峰
,
杨烨
,
羊新盛
,
蒋婧
,
白雪
,
秦黎
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
本文研究了YBCO块材排布方式与其在永磁导轨上悬浮力的关系.实验结果表明:悬浮力与随悬浮间距成指数关系.而YBCO块材在导轨上方排列方式的不同,导致沿轨道横截面方向,每块超导块获得的悬浮力平均值差异较大.当超导块集中分布于轨道上方磁场强度最大的区域时,超导块平均悬浮力最大.这意味着,与其他排布方式相比,在获得同等悬浮力情况下,这种排布方法的超导块用量最少.这一结果对于超导磁悬浮系统的设计具有指导意义.
关键词:
超导磁悬浮
,
悬浮系统
,
悬浮力与排布方式
张艳霞
,
闫勇
,
李莎莎
,
黄涛
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
,
余洲
稀有金属材料与工程
利用直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃(SLG)衬底上沉积双层Mo薄膜,对不同条件下沉积的薄膜通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪等对其相结构、表面形貌以及电性能进行测试.结果表明:双层Mo薄膜呈体心立方结构;由于非晶玻璃基底的影响以及沉积时间较短,缓冲层结晶质量差,薄膜表面粗糙,有空洞、裂纹,电阻率大,随温度的升高电阻率减小,薄膜表现出半导体的特性.随着顶层薄膜(溅射工作气压0.1 Pa)沉积时间的增加,薄膜厚度增加,结晶性能变好,表面更加平整、致密,总体电阻率变小,导电性能提高,随温度的升高电阻率增大,薄膜表现出金属特性.与单层膜相比,双层膜具有更低的电阻率,且溅射时间短,厚度薄,能够降低成本,节省源材料,更符合CIGS电池背电极的需求.
关键词:
Mo薄膜
,
磁控溅射
,
双层膜
,
导电机制
,
电阻率-温度曲线
黄涛
,
闫勇
,
黄稳
,
张艳霞
,
晏传鹏
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
,
余洲
功能材料
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM（扫描电子显微镜）、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层（背接触层）。
关键词:
Mo薄膜
,
直流磁控溅射
,
电阻率
