陈欣
,
方斌
,
官文杰
,
吴天书
,
郭明森
,
方国家
,
赵兴中
功能材料
利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240～310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上.
关键词:
沉积温度
,
ZnO:Al(AZO)膜
,
退火
刘宁
,
赵兴中
,
江来珠
,
罗会国
,
胡镇华
,
崔崑
金属学报
以分维几何学为基础，建立了断口二次电子像的分维Ｂｒｏｗｎｉａｎ模型，提出了以图像处理系统为手段的断口形貌的分维测量方法。研究了Ｎｉ粘结的Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）金属陶瓷在三点弯曲条件下，断裂表面的分形维数与横向断裂强度及显微组织之间的关系，建立了金属陶瓷的微观断裂的Ｆｒａｃｔａｌ模型，给出断口分形维数的计算表达式。实验结果表明，横向断裂强度的对数值ｌｇσ＿（ｂｂ）随分形维数Ｄ＿Ｆ增加呈单调上升的直线关系；显微组织的变化对分形维数有重要影响；断口的分形维数依赖于测量码尺的选择，且存在上临界点ε＿ｋ′。
关键词:
分形维数
,
fracture morphology
,
fractal model
,
Ti(C
,
N) cermet
赵兴中
,
刘家浚
,
朱宝亮
,
薛群基
,
欧阳锦林
无机材料学报
近年来Si3N4基陶瓷刀具在铸铁的切削加工中已得到较为成功的应用.但在加工碳钢等材料时，却产生较严重的化学磨损.不仅如此，干切削条件下陶瓷刀具和金属工件接触区产生的高温加剧了刀具与工件接触面间元素相互扩散，Si3N4颗粒的氧化及其氧化产物Si3O2的熔融，会大大加剧陶瓷材料的粘着磨损和微断裂磨.本试验采用润滑剂的润滑、冷却作用，尤其极压抗磨添加剂的摩擦化学作用来减小陶瓷的磨损率.在销-盘试验机上考察了ZDDP和TCP两种常用抗磨添加剂的性能.结果表明，两种添加剂均具有很好的减摩抗磨效果.分析认为，摩擦过程中添加剂发生了摩擦化学反应，其摩擦化学反应产物起到了很好的边界润滑作用，减小了摩擦系数和磨损率.
关键词:
陶瓷
,
additives
,
tribochemistry
,
adhesive wear
国世上
,
李伟平
,
孙成亮
,
赵兴中
功能材料
利用X射线衍射、差分扫描热分析(DSC)、电滞回线和介电常数的测量等研究了经高能电子辐照的共聚物P(VDF-TrFE) 56/44 mol%和80/20 mol%的相变特性和弛豫现象.结果表明,适量电子辐照不仅可以把低VDF含量的P(VDF-TrFE)56/44 mol%从正常铁电体转变为弛豫铁电体,而且可以把高VDF含量的P(VDF-TrFE)80/20 mol%转变为驰豫铁电材料.从而为此类巨电致伸缩材料的应用奠定了基础,扩大了其在机电装置方面的应用范围.
关键词:
铁电共聚物P(VDF-TrFE)
,
相变
,
弛豫
袁娜
,
刘军
,
刘文秋
,
李美亚
,
赵兴中
功能材料
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上成功制备出纯BiFeO3(BFO)和Ce、V共掺杂Bi0.97 Ce0.03Fe1-x VxO3 (x=0,0.01,0.02,0.03)(BCFVx)薄膜.结构和形貌测试表明,Ce、V共掺杂使得BFO薄膜发生从菱方结构到伪四方结构的转变,且薄膜晶粒变小.介电性能和漏电流测试表明,Ce、V共掺杂BFO薄膜的介电常数增大,介电损耗和漏电流密度减小.铁电性能测试表明在x=0.01时,BCFV0.01薄膜具有较好矩形度的电滞回线,表现出较好的铁电性能.
关键词:
BiFeO3
,
sol-gel技术
,
离子掺杂
,
铁电性能
,
漏电流
孙小华
,
胡宗智
,
吴敏
,
余本芳
,
赵兴中
功能材料
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂(Ba0.6Sr0.4)0.925K0.075TiO3(BSKT)薄膜.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BSKT晶粒尺寸和直流场介电调谐性能的影响,讨论了直流场介电损耗谱演变的原因.结果表明,Mg掺杂BSKT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;在室温1MHz下,BSKT薄膜有最大的调谐量73.6%;6%(摩尔分数)Mg掺杂BSKT薄膜有最低的介电损耗为0.0088;发现直流场下薄膜的介电损耗谱演变一方面可能与薄膜的晶粒尺寸有关,另一方面也可能与测试温度有关.
关键词:
BSKT
,
Mg掺杂
,
溶胶凝胶
,
介电调谐性能
印志强
,
孙小华
,
陈章红
,
李美亚
,
赵兴中
功能材料
利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%(摩尔分数)的(Ba0.6Sr0.4) Ti1-xCoxO3薄膜.研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系.薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少,在摩尔含量10%时达到最小值0.0128.FOM值在摩尔含量为2.5%达到最大值20,它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639.42、0.0218、43.6%.
关键词:
BSTC薄膜
,
溶胶-凝胶
,
介电特性
,
调谐性
,
品质因子FOM
李美亚
,
赵兴中
,
功能材料
YBa2Cu3O7-x(YBCO)镀膜导体在电力等能源领域有巨大应用前景.利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了双轴织构的YBCO薄膜的外延生长.这些膜的双轴织构用X射线极图分析、φ-扫描作了测定,观测到了MgO[001]方向相对于衬底法线倾斜了31°.研究了不同缓冲层材料对YBCO外延生长的取向和双轴织构的影响,外延生长的高质量的YBCO薄膜的转变温度和临界电流密度分别达到了91K和5.5×105A/cm2的较高的值.
关键词:
YBCO镀膜导体
,
倾斜衬底沉积法
,
外延生长
陈志强
,
方国家
,
李春
,
盛苏
,
赵兴中
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00707
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜. 采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响. 结果表明, 制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向; 200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后, 其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm, 禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV. 退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.
关键词:
ZnMgO:Ga膜
,
pulsed laser deposition (PLD)
,
substrate temperature
,
vacuum annealing
