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MgZnO/ZnO异质结构的发光性质研究

吴春霞 , 吕有明 , 李炳辉 , 赵东旭 , 刘益春 , 申德振 , 张吉英 , 范希武

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.003

本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石 (Al2O3) 衬底上生长了Mg0.12Zn0.88O(100nm)/ZnO (20nm) /Mg0.12Zn0.88O (40nm) 异质结构,测得样品的X射线衍射谱表明,在34.56°的位置出现很强的(002)方向衍射峰,其半高宽度为0....

关键词: ZnO/MgZnO异质结构 , P-MBE , 光致发光谱

等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究

梁红伟 , 吕有明 , 申德振 , 颜建锋 , 刘益春 , 李炳辉 , 赵东旭 , 张吉英 , 范希武

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.008

利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响.随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至 0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(...

关键词: ZnO薄膜 , 等离子体增强分子束外延 , 光致发光 , 量子限域效应 , X射线摇摆曲线

MgxZn1-xO单晶薄膜的分子束外延生长及结构表征

吴春霞 , 吕有明 , 李炳辉 , 赵东旭 , 刘益春 , 申德振 , 张吉英 , 范希武

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.024

用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜.在0≤x≤0.2范围内MgxZn1-xO薄膜保持着六角纤锌矿结构不变.原位反射式高能电子衍射图样和X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜.随着x值逐渐增大,Mg2+离子逐渐进入ZnO的晶格,X...

关键词: MgxZn1- xO , P- MBE , X射线双晶衍射 , 光致发光

不同退火温度下Mn掺杂ZnO纳米晶的结构和磁性

李金华 , 张吉英 , 赵东旭 , 吕有明 , 申德振 , 范希武

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.003

ZnO的激子束缚能高达60 meV,具有优良的光学性质.因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来.文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了在不同退火温度下纳米晶的结构和磁性.XRD结果显示,所有样品均为六角纤锌矿结构.退火后,Mn掺杂ZnO纳米晶的晶格常数均略大于纯...

关键词: Mn掺杂ZnO , 退火 , 结构 , 磁性

Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响

李金华 , 张吉英 , 赵东旭 , 吕有明 , 申德振 , 范希武

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.006

Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注.ZnO的激子束缚能高达60 meV,具有优良的光学性质.因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来.文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响.XRD结果表明,...

关键词: 光致发光 , ZnO , Mn含量 , Mn掺杂结构

镝配合物的白色有机电致发光

洪自若 , 李文连 , 赵东旭

功能材料

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