赖武彦
材料导报
纳米尺度超薄膜的制备和结构表征,催生了一门新学科--磁导体电子学.制备方法的改进促进了磁导体电子学器件的产业化.它在计算机信息功能上有重要应用.计算机信息量的运算和存取是信息功能的两个侧面,必须平衡发展.巨磁电阻(GMR)硬盘的存储密度已达11Gbits/in2,这个突破性进展缓解了失衡.非易失性磁随机存储器(MRAM)是磁导体电子学器件又一新成果.利用现有微电子技术,可以尽快实现其产业化.
关键词:
磁导体电子学
,
纳米薄膜
,
巨磁电阻
,
隧道磁电阻
,
磁随机存储器
李明华
,
于广华
,
朱逢吾
,
姜宏伟
,
赖武彦
功能材料
采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜(分别以Ta、Cu作为缓冲层,Ta作为保护层).实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大,而矫顽力却很小.我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析.以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑,这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力.
关键词:
NiFe/FeMn
,
交换偏置场
,
织构
,
界面粗糙度
朱逢吾
,
于广华
,
李明华
,
姜宏伟
,
赖武彦
金属学报
对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
关键词:
层间偏聚
,
null
,
null
,
null
李明华
,
于广华
,
朱逢吾
,
曾德长
,
赖武彦
功能材料
在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低.为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层.实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍.XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场.
关键词:
NiFe/FeMn
,
交换偏置场Hex
,
表面偏聚
,
Bi插层
朱逢吾
,
于广华
,
李明华
,
姜宏伟
,
赖武彦
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.06.012
对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
关键词:
层间偏聚
,
交换耦合场
,
表面活化原子Bi
,
XPS
代波
,
蔡健旺
,
赖武彦
功能材料
采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场.通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃.
关键词:
交换偏置
,
钉扎场
,
反铁磁
