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退火温度对Li∶ZnO薄膜紫外发射性能影响

贾相华 , 尹龙承 , 姜宏伟 , 朱瑞华 , 王丹 , 郑友进

人工晶体学报

利用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备不同退火温度的Li∶ZnO薄膜.借助X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱研究样品结晶质量、成分、表面形貌和发光特性.结果表明:所有样品均高度c轴择优取向生长;随退火温度升高,样品结晶性变好,紫外发射增强.LiOH在退火温度超过700℃分解,使Li、H进入到ZnO晶格,在ZnO薄膜中形成LiZn-H复合缺陷,这种复合缺陷使H被困在ZnO薄膜中,形成H施主,显著提高ZnO薄膜紫外发光强度,抑制ZnO薄膜绿光发射.

关键词: Li∶ZnO , 光致发光 , 溶胶-凝胶 , H施主

直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜

姜宏伟 , 黄海亮 , 贾相华 , 尹龙承 , 陈玉强 , 彭鸿雁

新型炭材料

采用直流热阴极PCVD( Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控.间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行.采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较.结果表明,当单个生长周期为30m in(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜.

关键词: 直流热阴极 , CVD , 间歇生长模式 , 金刚石膜

N掺杂MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质研究

贾相华 , 左桂鸿 , 郑友进 , 姜宏伟 , 张辉霞 , 黄海亮

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了N掺杂MgxZn1-xO薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射光谱、光致发光(PL)谱对N掺杂MgxZn1-xO薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究.XRD结果表明所有样品均形成了MgZnO合金薄膜,没有观察到其它氧化物的衍射峰.样品的结晶质量越差,样品的表面形貌越不规则,但样品在可见光的透射率越强,甚至达到了95%.样品的禁带宽度随Mg含量的增加而增加,随N含量的增加而减小.所有样品的光致发光谱均观察到强的400 nm发光和弱的可见发光.400 nm的发光强度随Mg含量的增加而减弱,随N含量的增加而增强,认为薄膜在400 nm的发光来源ZnO的激子复合.

关键词: N掺杂MgxZn1-xO , 溶胶-凝胶 , 光致发光

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