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LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺

王立峰 , 贾世星 , 陆乐 , 姜理利

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.020

对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.

关键词: LPCVD , 多晶硅 , 掺P多晶硅

基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术

吴 , 巩全成 , 贾世星 , 王敏杰 , 张勇 , 朱健

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.021

三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术.基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件.总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀.三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础.

关键词: GSG键合 , 研磨抛光工艺 , 微流体器件

纳米氧化镧对电铸电极材料抗电蚀性的影响

明平美 , 朱荻 , 曾永彬 , 朱健 , 贾世星

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2006.03.005

增强工具电极材料的耐电蚀能力,降低电极损耗是微细电火花加工技术可靠、稳定且高效制造高深宽比微结构和器件的研究关键之一.选用纳米量级稀土氧化物-氧化镧为电铸基液添加剂制备了微工具铜电极材料,探讨了它的作用机理,分析了电铸铸层的微观形貌,并实验研究了纳米氧化镧添加剂对电铸电极材料抗电蚀性能的影响,优选了电沉积工艺参数.结果表明:添加适量纳米氧化镧添加剂并在适当电沉积条件下,电铸铜电极材料表现出较强的抗电蚀能力,且综合机械性能优异.

关键词: 电铸 , 抗电蚀性 , 纳米氧化镧 , 稀土

铜-石墨复合电极材料耐电蚀性试验研究

明平美 , 朱荻 , 朱健 , 贾世星

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.11.017

通过复合电铸技术在耐电蚀性强的铜主体中引入抗电蚀性能优异的微粉石墨成功制备了铜-石墨复合电极材料,试验研究了复合电极材料的抗电蚀能力.结果表明:在微粉石墨添加量36～48 g/L,阴极电流密度2～3 A/dm2以及适当温度和搅拌强度等条件下制备的复合电极材料表现出优异的耐电蚀性能.

关键词: 复合电铸 , 石墨 , 微细电火花加工 , 耐电蚀性

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