王健
,
周世平
,
贺晓燕
,
卢绍平
,
柳青
,
虞坤
,
申丽琴
稀有金属材料与工程
采用包套复合拉伸方法制备Pd/A1双金属丝样品,利用扫描电镜、拉力试验机等仪器,考察热处理条件对双金属丝复合界面和性能的影响.测试结果表明:Pd/Al界面易扩散,材料性能在很大程度上取决于Pd/Al界面的扩散程度:热处理温度对Pd/Al界面扩散的影响大于热处理时间,换言之,热处理温度对Pd/A1双金属丝性能的影响显著于热处理时间.
关键词:
双金属丝
,
界面
,
性能
俞建树
,
贺晓燕
,
周世平
,
卢绍平
,
安盈志
,
王佳丽
,
王健
贵金属
利用扫描电子显微镜和能谱仪分析Cu对Ag-Ce合金组织与结构的影响。结果表明：Ag-Cu-Ce合金基体为银铜固溶体，晶粒较小，基体上弥散分布着恀多共生析出的β-Cu和Ag4Ce颗粒，Cu的加入改善了Ag4Ce的偏析现象。Ag-Ce和Ag-Cu-Ce合金的拉伸断口呈锥形，有明显的韧窝组织，为典型的韧性断裂。
关键词:
金属材料
,
银铈合金
,
银铜铈合金
,
显微组织
,
断口形貌
乔勋
,
王健
,
周世平
,
贺晓燕
,
李季
,
庄滇湘
,
蒋传贵
稀有金属材料与工程
利用电性能模拟试验机、扫描电镜(SEM)、DT-100型天平等实验设备,研究微量稀土Ce对AgCuNi合金的接触电阻、燃弧能量、表面侵蚀形貌特征和电寿命的影响.结果表明,添加微量Ce的AgCuNi合金接触电阻低而稳定、抗电弧侵蚀性能好、质量损耗小、电寿命长,是一种电接触性能优异的新型触头材料.
关键词:
稀土元素
,
银合金
,
接触电阻
,
燃弧能量
,
电寿命
贺晓燕
,
周世平
,
王健
,
乔勋
,
俞健树
,
裴洪营
,
马云秋
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2008.02.003
通过力学性能测试和金相分析,研究了Cu对AgCe合金机械性能和再结晶温度的影响.结果表明:AgCe合金中添加Cu后,使合金的硬度提高48,强度提高178MPa,再结晶温度提高150℃左右,同时在大变形量下延伸率有一定提高.
关键词:
金属材料
,
AgCe合金
,
再结晶温度
,
机械性能
贺晓燕
,
周世平
,
王健
,
乔勋
,
王光庆
,
吕飞
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2009.01.004
在触点试验机上对Ag-6Cu-0.5Ce和Ag-0.5Ce触头进行了分断电接触试验,用SEM扫描电镜观察了触头电弧侵蚀后的形貌特征,EDS能谱仪分析了表面的元素分布,研究了6%(质量分数)Cu的添加对电弧侵蚀和表面形貌特征的作用.结果表明:Ag-6Cu-0.5Ce触头的蒸发损耗较大,但其抗裂纹扩展能力好,单位面积的侵蚀量少, β-Cu的析出使触头在工作中表现了优异的抗表面劣化性能和耐磨性能,延长了使用寿命.
关键词:
金属材料
,
Ag-Ce
,
触头
,
Cu
,
电弧侵蚀
,
形貌
柳青
,
王健
,
武海军
,
李强
,
贺晓燕
,
卢绍平
贵金属
利用扫描电镜、双臂电桥法分析了加工变形量和退火温度对Ag-Cu-Ce合金电阻率的影响。结果表明：Ag-Cu-Ce合金的电阻率随着加工变形量的增加而增大，Cu的加入使Ag-Ce合金电阻率稍有升高；当退火温度大于600℃时，Ag-Cu-Ce合金的电阻率急剧升高，电性能变差。
关键词:
金属材料
,
银铜铈合金
,
银铈合金
,
电阻率
谢宏潮
,
阳岸恒
,
庄滇湘
,
李曲波
,
贺晓燕
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.01.007
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99 Ni1、(Au88 Ge12)97 Ni3、(Au88 Ge12)95 Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大.随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽.
关键词:
金属材料
,
金锗合金
,
金锗镍合金
,
蒸发材料
,
机械性能
,
显微组织
乔勋
,
王健
,
周世平
,
贺晓燕
,
李林修
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2009.02.002
用室温固相轧制复合法制备了AgCuCe/TU1层状复合材料,研究了不同扩散退火工艺对AgCuCe/TU1界面结合性能的影响,测定了复合材料复层和基体的硬度,观察了试样的界面微观组织.结果表明:600 ℃/0.5 h扩散退火可以改善界面结合状态和界面附近组织形貌,获得充分的再结晶组织和致密的界面结合状态;700 ℃/0.5 h扩散退火在界面处形成细晶区和孔洞;750 ℃/0.5 h扩散退火使AgCuCe/TU1在界面处形成氧化物夹杂,严重损害界面结合性能.
关键词:
金属材料
,
复合材料
,
扩散退火
,
界面
,
显微组织
阳岸恒
,
谢宏潮
,
贺晓燕
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.02.002
由于高纯金及金基蒸发材料具有良好的物理化学性能,广泛应用于金属-半导体系统,是半导体行业的重要基础材料.目前,金基蒸发材料用作工业化生产的主要有丝材、块状、棒状等产品,并大量用于LED照明、太阳能电池、微波半导体器件生产,具有良好的经济效益及社会效益.
关键词:
高纯金
,
金基蒸发材料
,
欧姆接触
,
金属-半导体
