王晓强
,
贺德衍
,
李明亚
,
甄聪棉
,
韩秀梅
稀有金属材料与工程
利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜.在拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)对样品结构分析的基础上,采用对样品结构无损伤的椭圆偏振光谱(SE)法对样品进行了测量,结合有效介质近似(EMA)模型,对样品的微结构进行了计算拟合.拉曼光谱及AFM分析表明:样品为具有纳米晶相的Si薄膜;分光椭圆偏振法结合EMA模型对样品微结构的拟合分析得出了同样的结论,说明即使在室温下用ICP-CVD也获得了具有纳米晶相的Si薄膜,薄膜微结构与源气体SiH4浓度有密切关系.说明分光椭圆偏振法是研究薄膜材料的一种有力手段.
关键词:
ICP-CVD
,
Si薄膜
,
低温生长
,
椭偏光谱法
张弘
,
刘曦
,
刘小晰
,
魏福林
,
贺德衍
人工晶体学报
以双靶射频溅射和交替沉积的方法制备了不同化学组成的BaM铁氧体薄膜.对所沉积的薄膜进行了两种不同方式的热处理.通过热处理后铁氧体薄膜的X射线衍射(XRD), 逆转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)及原子力显微镜(AFM)等微观结构的分析和宏观磁性的测试,结果表明两步骤退火过程对于垂直取向结构的形成是有利的.
关键词:
钡铁氧体薄膜
,
垂直各向异性
,
穆斯堡尔谱
张弘
,
刘朝阳
,
王兰喜
,
贺德衍
,
魏福林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.005
以交替真空溅射的方法使用成分分别为MnFe2O4与ZnFe2O4的双靶制备了成分变化的系列Mn1-xZnxFe2O4铁氧体薄膜,衬底为Si(100).薄膜的成分通过控制不同靶的溅射时间来进行调整.沉积态的薄膜呈非晶结构,在真空炉中以适当的温度对薄膜进行退火之后能够得到多晶MnZn铁氧体薄膜.组成成分为Mn0.5ZnO.5Fe2O4的薄膜呈现了相对最高的饱和磁化强度.同时还研究了制备条件对薄膜结构与磁性的影响,如溅射氧分压,退火真空度,退火温度及薄膜厚度等等.制备的薄膜相对于块状材料具有较高的矫顽力,进而讨论了应力对薄膜矫顽力的影响.
关键词:
薄膜
,
Mn-Zn铁氧体
,
矫顽力
许旻
,
贺德衍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.004
在常温下,用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜,经过450℃退火,得到V2O5薄膜.用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱.结果表明,V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好.室温到320℃范围内电阻变化2个量级,薄膜的光学能隙为2.46eV,与V2O5体材料性能一致.
关键词:
V2O5薄膜
,
脉冲溅射
,
微结构
,
光电特性
郑小平
,
张佩峰
,
贺德衍
,
郝远
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.008
以扩散理论基础,建立以"基本微观过程"为核心的新模型,首次对存在表面活化剂时薄膜生长的微观过程进行KINETIC MONTECARLO模拟.模拟发现,温度较低时沉积原子自身更容易聚集成核,这一反常效应是由于表面活化剂原子比沉积原子更容易被激活扩散造成的.活化层原子和沉积原子都会发生跨层间的扩散,交换比并非恒等于1,而是与温度、入射率、成膜厚度等多种因素有关.
关键词:
KMC
,
薄膜
,
反常效应
,
交换
杨钟时
,
贾建峰
,
田军
,
贺德衍
无机材料学报
报道了在奥氏体不锈钢表面制备氧化物陶瓷膜的新方法.首先用热浸镀工艺在不锈钢表面镀铝,然后利用铝的微弧氧化形成了Al2O3陶瓷膜.对所获得的样品进行了断面形貌观察、成分和相组成分析发现,在金属间化合物上形成的陶瓷膜主要由α-Al2O3和γ-Al2O3构成,γ-Al2O3的含量高于α-Al2O3.对其硬度测试发现,从基底到表面硬度呈梯度分布,氧化物陶瓷表面的硬度约为800HV.
关键词:
奥氏体不锈钢
,
hot-dip aluminium
,
micro-arc discharge oxidation
,
coating
马紫微
,
谢二庆
,
林洪峰
,
宁长春
,
刘肃
,
贺德衍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.003
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析.结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分.此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能.在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2.
关键词:
SiCN薄膜
,
XRD
,
IR
,
XPS
,
AFM
,
场发射
谢二庆
,
王文武
,
姜宁
,
贺德衍
无机材料学报
利用离子注入的方法在Si（111）衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射（XRD）及卢瑟福背散射技术（RBS）得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160℃时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240℃则对应着YSi-YSi2的相转变点。
关键词:
硅化钇
,
In-situ sheet resistance
,
ion implantation
邵乐喜
,
刘小平
,
谢二庆
,
贺德衍
,
陈光华
无机材料学报
采用由普通炸药爆轰制备的金刚石纳米粉对光滑硅衬底进行了涂覆预处理，研究了金刚石薄膜经徐覆和研磨预处理的两种衬底上的生长行为及其演化过程．结果表明，纳米粉处理能在显著提高成核密度的同时，大大缩短长成连续膜所用的时间；薄膜的生长由前后相继的两个阶段所构成，即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合和晶面的逐渐显露与晶粒长大过程．经足够长的生长时间后，所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征，特别适合于高致密性自支持薄膜的生长．而研磨处理衬底上生长的薄膜一旦成核，便有确定晶面的显露，但却出现明显的二次成核和孪晶，所得薄膜的致密性与表面平整度均不及徐覆处理的好．文中还对结果进行了简要讨论．
关键词:
金刚石纳米粉
,
CVD diamond thin films
,
growth behavior
岳金顺
,
程文娟
,
蒋钢娟
,
贺德衍
,
陈光华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.029
本文研究以六方BN为靶材,CH4为反应气体,利用射频溅射技术制备BCN三元化合物薄膜.样品的结构由X射线衍射谱、傅立叶变换红外吸收谱和X射线光电子能谱等方法进行表征.实验结果表明样品是具有类石墨涡旋蜂窝状结构的BCN三元化合物.通过改变CH4分压,能够控制薄膜中的C含量:随CH4分压的增高,薄膜中C含量增大,电导率也显著增大.当CH4分压比在10%附近时,样品呈现半导体特性,由电导率-温度关系曲线求得电导激活能约为0.8eV.
关键词:
BCN薄膜
,
射频反应溅射
,
结构和电学特性
