秦尤敏
,
吕晓丹
,
宁建平
,
张利纯
,
赵成利
,
贺平逆
,
苟富君
材料导报
主要研究了利用分子动力学方法(MD)模拟等离子体与材料表面相互作用过程时分子动力学方法的参数对模拟结果的影响.详细分析了Berendsen热浴的应用时间、耦合强度和模拟时间量(单个轨迹的作用时间、弛豫时间)对模拟结果的影响,结果表明,热浴的应用时间对模拟结果的影响很大,而其它参数对模拟结果没有太大的影响.
关键词:
分子动力学
,
热浴
,
弛豫
,
刻蚀
贺平逆
,
吕晓丹
,
赵成利
,
苟富均
材料导报
采用分子动力学模拟方法研究了300K入射能量150eV时,以不同角度(5°、30°、60°和75°)入射的SiF3+与SiC表面的相互作用过程.模拟中使用了用于Si-F-C体系的Tersoff-Brenner势能函数.模拟结果显示,入射SiF3+与SiC表面相互作用后会分解,分解率随着入射角度的增加而减小.分解产物除少量散射外,大部分会沉积在SiC表面,Si和F在SiC表面的平均饱和沉积量随入射角度的增加而减少.随着SiF3+不断轰击SiC表面,SiC表面会形成Si-F-C反应层,且反应层厚度随着入射角度的增加而减少.同时发现SiC中的Si原子较C原子更容易被刻蚀,与实验结果一致.当刻蚀达到稳定,入射角度为5°、30°、60°和75°时,C的刻蚀率分别约为0.026、0.038、0.018、0.005,Si的刻蚀率分别约为0.043、0.051、0.043和0.023.各入射角度下,产物分子种类主要为F、SiF和SiF2.F和SiF产物量随入射角度增加而增加,而SiF2产量随入射角度增加而减少.在入射角度等于5°和30°时,SixFvVz是主要的含C产物；而在入射角度等于60°和75°时,CF是主要的含C产物.在入射角度等于5°和30°时,SiF2是主要的含Si产物；在入射角度等于60°和75°时,SiF是主要的含Si产物.刻蚀主要通过化学增强的物理溅射进行.
关键词:
分子动力学
,
SiF3+刻蚀SiC
,
分子动力学模拟
,
SiC
